產品簡介
技術參數品牌：INFINEON型號：IPD09N03LA批號：2021+封裝：TO-252數量：64656QQ：制造商：Infineon產品種類：MOSFET安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：25VId-連續漏極電流：50ARdsOn-漏源導通電阻：8
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | INFINEON |
| 型號： | IPD09N03LA |
| 批號： | 2021+ |
| 封裝： | TO-252 |
| 數量： | 64656 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 25 V |
| Id-連續漏極電流： | 50 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 8.8 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 20 V, + 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 63 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.3 mm |
| 長度： | 6.5 mm |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 下降時間： | 3.4 ns |
| 上升時間： | 5.6 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 20 ns |
| 典型接通延遲時間： | 7 ns |
| 單位重量： | 350 mg |
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