技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | HGTG30N60A4D |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | TO-247 |
| 數(shù)量： | 50000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | IGBT 晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集電極—發(fā)射極電壓 VCEO： | 600 V |
| 集電極—射極飽和電壓： | 1.8 V |
| 柵極/發(fā)射極電壓： | 20 V |
| 在25 C的連續(xù)集電極電流： | 75 A |
| Pd-功率耗散： | 463 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 系列： | HGTG30N60A4D |
| 封裝： | Tube |
| 集電極連續(xù)電流 Ic： | 75 A |
| 高度： | 20.82 mm |
| 長度： | 15.87 mm |
| 寬度： | 4.82 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 集電極連續(xù)電流： | 75 A |
| 柵極—射極漏泄電流： | +/- 250 nA |
| 產(chǎn)品類型： | IGBT Transistors |
| 工廠包裝數(shù)量： | 450 |
| 子類別： | IGBTs |
| 零件號別名： | HGTG30N60A4D_NL |
| 單位重量： | 6.390 g |
所有評論僅代表網(wǎng)友意見，與本站立場無關(guān)。