產品簡介
技術參數品牌：ON型號：NTGD1100LT1G批號：10+封裝：SOT23-6數量：200QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOP-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：8VId-連續漏極電流：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | NTGD1100LT1G |
| 批號： | 10+ |
| 封裝： | SOT23-6 |
| 數量： | 200 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TSOP-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 8 V |
| Id-連續漏極電流： | 3.3 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 55 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 4.5 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 600 mV |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 830 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.94 mm |
| 長度： | 3 mm |
| 系列： | NTGD1100L |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 寬度： | 1.5 mm |
| 單位重量： | 20 mg |
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