
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | NXP |
| 型號: | MW6S010NR1 |
| 批號: | 20+ |
| 封裝: | |
| 數(shù)量: | 1000 |
| QQ: | |
| 制造商: | NXP |
| 產(chǎn)品種類: | 射頻金屬氧化物半導體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS: | 是 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| 技術(shù): | Si |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 125 mA |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 68 V |
| 最小工作溫度: | - 65 C |
| 工作溫度: | + 150 C |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-270 |
| 封裝: | Cut Tape |
| 封裝: | MouseReel |
| 封裝: | Reel |
| 配置: | Single |
| 系列: | MW6S010N |
| 類型: | RF Power MOSFET |
| 商標: | NXP Semiconductors |
| 通道模式: | Enhancement |
| 濕度敏感性: | Yes |
| Pd-功率耗散: | 61.4 W |
| 產(chǎn)品類型: | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數(shù)量: | 500 |
| 子類別: | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | - 0.5 V, 12 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.3 V |
| 零件號別名: | |
| 單位重量: | 1.700 g |














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