產品簡介
技術參數品牌：NXP型號：MRF6V2010NR1批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻金屬氧化物半導體場效應(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：110V增益：23
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | MRF6V2010NR1 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 110 V |
| 增益： | 23.9 dB |
| 輸出功率： | 10 W |
| 最小工作溫度： | - 65 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-270 |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.08 mm |
| 長度： | 9.7 mm |
| 工作頻率： | 450 MHz |
| 系列： | MRF6V2010N |
| 寬度： | 6.15 mm |
| 通道模式： | Enhancement |
| 濕度敏感性： | Yes |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 5 V, 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1.68 V |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | 529.550 mg |
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