技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | NXP |
| 型號(hào)： | MRFX1K80HR5 |
| 批號(hào)： | 20+ |
| 封裝： | |
| 數(shù)量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產(chǎn)品種類： | 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | Dual N-Channel |
| 技術(shù)： | Si |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 43 A |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | - 500 mV, 179 V |
| 增益： | 25.1 dB |
| 輸出功率： | 1.8 kW |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | NI-1230H-4 |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | Reel |
| 工作頻率： | 1.8 MHz to 400 MHz |
| 系列： | MRFX1K80 |
| 類型： | RF Power MOSFET |
| 商標(biāo)： | NXP Semiconductors |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 44.7 S |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| Pd-功率耗散： | 2247 W |
| 產(chǎn)品類型： | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數(shù)量： | 50 |
| 子類別： | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 6 V, 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.1 V |
| 零件號(hào)別名： | |
| 單位重量： | 13.159 g |
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