技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | NXP |
| 型號： | A3G26H501W17SR3 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | |
| 數(shù)量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產(chǎn)品種類： | 射頻結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | GaN |
| 增益： | 13.7 dB |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 150 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 42 mA |
| 輸出功率： | 56 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 225 C |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | NI-780S-4S2S |
| 封裝： | Reel |
| 應(yīng)用： | Cellular Base Station |
| 工作頻率： | 2496 MHz to 2690 MHz |
| 商標： | NXP Semiconductors |
| 類： | Class AB, Class C |
| 產(chǎn)品類型： | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數(shù)量： | 250 |
| 子類別： | Transistors |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | - 3.5 V, - 3.8 V |
| 零件號別名： |
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