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深圳市興華芯科技有限公司

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當(dāng)前位置：深圳市興華芯科技有限公司>>集成電路(IC)>>其他集成電路>> MRFX600GSR5NXP MRFX600GSR5 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 Widebａnd RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1....

NXP MRFX600GSR5 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 Widebａnd RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1....

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：MRFX600GSR5
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-08-23 15:48:28
  • 瀏覽次數(shù)：5
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1083條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-08-09
  • 最近登錄：2023-08-09
  • 聯(lián)系人：顧先生
  • 電    話：15205529633
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：NXP型號：MRFX600GSR5批號：20+封裝：數(shù)量：1000QQ：制造商：NXP產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：N-Channel技術(shù)：SiId-連續(xù)漏極電流：32AVds-漏源極擊穿電壓：193V增益：26

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：NXP
型號：MRFX600GSR5
批號：20+
封裝：
數(shù)量：1000
QQ：
制造商：NXP
產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS：是
晶體管極性：N-Channel
技術(shù)：Si
Id-連續(xù)漏極電流：32 A
Vds-漏源極擊穿電壓：193 V
增益：26.4 dB
輸出功率：600 W
最小工作溫度：- 40 C
工作溫度：+ 150 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：NI-780GS-4L
封裝：Cut Tape
封裝：Reel
工作頻率：1.8 MHz to 400 MHz
系列：MRFX600
類型：RF Power MOSFET
商標(biāo)：NXP Semiconductors
通道數(shù)量：2 Channel
Pd-功率耗散：1.333 kW
產(chǎn)品類型：RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量：50
子類別：MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓：- 6 V, 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：2.1 V
零件號別名：
單位重量：588 mg
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