產品簡介
技術參數品牌:NXP型號:A2T21S160-12SR3批號:20+封裝:數量:1000QQ:描述:ICTRANSRFLDMOS對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況:無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級(MSL):不適用原廠標準交貨期:12周詳細描述:RFMosfetLDMOS28V600mA2
詳情介紹

技術參數
| 品牌: | NXP |
| 型號: | A2T21S160-12SR3 |
| 批號: | 20+ |
| 封裝: |
| 數量: | 1000 |
| QQ: | |
| 描述: | IC TRANS RF LDMOS |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況: | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 (MSL): | 不適用 |
| 原廠標準交貨期: | 12 周 |
| 詳細描述: | RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 2.17GHz 18.4dB 38W NI-780-2S2L |
| 數據列表: | A2T21S160-12SR3; |
| 標準包裝: | 250 |
| 包裝: | 標準卷帶 |
| 零件狀態: | 有源 |
| 類別: | 分立半導體產品 |
| 產品族: | 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 |
| 系列: | - |
| 其它名稱: | |
| 晶體管類型: | LDMOS |
| 頻率: | 2.17GHz |
| 增益: | 18.4dB |
| 電壓 - 測試: | 28V |
| 額定電流(安培): | - |
| 噪聲系數: | - |
| 電流 - 測試: | 600mA |
| 功率 - 輸出: | 38W |
| 電壓 - 額定: | 65V |
| 封裝/外殼: | NI-780-2S2L |
| 供應商器件封裝: | NI-780-2S2L |
- 上一篇: NXP A3I35D025WGNR1 射頻放大器 LDMOS
- 下一篇: ATC 100E3R6BW3600X 3838 18+
所有評論僅代表網友意見,與本站立場無關。