產品簡介
技術參數品牌：VISHAY型號：SI7119DN-T1-GE3批號：18+封裝：QFN8數量：17098QQ：描述：MOSFETP-CH200V3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | VISHAY |
| 型號： | SI7119DN-T1-GE3 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | QFN8 |
| 數量： | 17098 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 原廠標準交貨期： | 14 周 |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-P-通道-200V-3.8A（Tc）-3.7W（Ta）-52W（Tc）-PowerPAK®-1212-8 |
| 數據列表： | SI7119DN; |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 有源 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | TrenchFET® |
| 其它名稱： | SI7119DN-T1-GE3TR |
| FET 類型： | P 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 200V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 3.8A（Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 1.05 歐姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 25nC @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 666pF @ 50V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作溫度： | -50°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | PowerPAK® 1212-8 |
| 封裝/外殼： | PowerPAK® 1212-8 |
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