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深圳市佳源偉業(yè)電子有限公司

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IR 場效應(yīng)管 IRF9520NPBF MOSFET PLANAR >= 100V

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號:IRF9520NPBF
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:PMIC/穩(wěn)壓器/線性
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-10-31 18:06:24
  • 瀏覽次數(shù):10
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  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:976條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-10-31
  • 最近登錄:2023-10-31
  • 聯(lián)系人:林先生
  • 電    話:13510636868
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:IR型號:IRF9520NPBF批號:18+封裝:TO-220數(shù)量:878QQ:制造商:Infineon產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:ThroughHole封裝/箱體:TO-220-3晶體管極性:P-Channel通道數(shù)量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100VId-連續(xù)漏極電流:6

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:IR
型號:IRF9520NPBF
批號:18+
封裝:TO-220
數(shù)量:878
QQ:
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
晶體管極性:P-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:6.8 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:480 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.4 V
Qg-柵極電荷:18 nC
最小工作溫度:- 55 C
工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:48 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
高度:15.65 mm
長度:10 mm
晶體管類型:1 P-Channel
寬度:4.4 mm
下降時間:31 ns
上升時間:47 ns
典型關(guān)閉延遲時間:28 ns
典型接通延遲時間:14 ns
單位重量:6 g
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