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日本濱松HAMAMATSU硅光電二極管 S1226-18BU TO-18 現(xiàn)貨庫(kù)存

Si photodiode

S1226-18BU
For UV to visible, precision photometry; suppressed near IR sensitivity
Features
- High UV sensitivity: QE＝75 % (λ=200 nm)
- Suppressed near IR sensitivity
- Low dark current
- High reliability
用于紫外到可見(jiàn)光的精密光度測(cè)定；抑制近紅外靈敏度

特征

-高紫外靈敏度：QE＝75%（λ=200 nm）

-抑制近紅外靈敏度

-低暗電流

-高可靠性

Specifications
Photosensitive area 1.1 × 1.1 mm
Number of elements 1
Package Metal
Package category TO-18
Cooling Non-cooled
Reverse voltage (max.) 5 V

Spectral response range 190 to 1000 nm
Peak sensitivity wavelength (typ.) 720 nm
Photosensitivity (typ.) 0.36 A/W
Dark current (max.) 2 pA
Rise time (typ.) 0.15 μs
Terminal capacitance (typ.) 35 pF
Noise equivalent power (typ.) 1.6 × 10 -15 W / Hz 1/2
Measurement condition Ta=25 ℃, Typ Photosensitivity: λ=720 nm, Dark current: VR=10 mV, Terminal capacitance: VR=0 V, f=10 kHz,

規(guī)格

感光面積1.1×1.1mm

單位數(shù)量1

包裝：鋁箔袋

包裝類別：TO-18

冷卻：非冷卻

反向電壓（值）5 V

光譜響應(yīng)范圍190至1000 nm

峰值靈敏度波長(zhǎng)（典型值）720nm

光敏性（典型值）0.36 A/W

暗電流（值）2 pA

上升時(shí)間（典型值）0.15μs

終端電容（典型值）35 pF

噪聲等效功率（典型值）1.6×10-15 W/Hz 1/2

測(cè)量條件Ta=25℃，典型值，光敏度：λ=720nm，暗電流：VR=10mV，端子電容：VR=0V，f=10kHz，除非另有說(shuō)明

規(guī)格

感光面積1.1×1.1mm

單位數(shù)量1

包裝：鋁箔袋

包裝類別：TO-18

冷卻：非冷卻

反向電壓（值）5 V

光譜響應(yīng)范圍190至1000 nm

峰值靈敏度波長(zhǎng)（典型值）720nm

光敏性（典型值）0.36 A/W

暗電流（值）2 pA

上升時(shí)間（典型值）0.15μs

終端電容（典型值）35 pF

噪聲等效功率（典型值）1.6×10-15 W/Hz 1/2

測(cè)量條件Ta=25℃，典型值，光敏度：λ=720nm，暗電流：VR=10mV，端子電容：VR=0V，f=10kHz，除非另有說(shuō)明

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劉小姐（微信同步）
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