產品簡介
技術參數品牌：NXP型號：PMV117EN,215批號：20+封裝：SOT-23數量：3500QQ：描述：MOSFETN-CH30V2
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | PMV117EN,215 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SOT-23 |
| 數量： | 3500 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V SOT23 |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 詳細描述： | 表面貼裝型-N-通道-30V-（Tc）-830mW（Tc）-TO-236AB（SOT23） |
| 數據列表： | PMV117EN; |
| 標準包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標準卷帶 |
| 零件狀態： | 停產 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 系列： | TrenchMOS™ |
| 其它名稱： | 568-8111-2 |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）： | （Tc） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ，10V |
| 不同 Id，Vgs 時的 Rds On（值）： | 117 毫歐 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs（th）（值）： | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（值）： | @ 10V |
| Vgs（值）： | ±20V |
| 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（值）： | 147pF @ 10V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 830mW（Tc） |
| 工作溫度： | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | TO-236AB（SOT23） |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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