技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | VISHAY |
| 型號(hào)： | SI7113DN-T1-GE3 |
| 批號(hào)： | 2020+ |
| 封裝： | POWER-SO8 LF |
| 數(shù)量： | 10000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Vishay |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術(shù)： | Si |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerPAK-1212-8 |
| 通道數(shù)量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 100 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | A |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 134 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 1 V |
| Qg-柵極電荷： | 55 nC |
| 最小工作溫度： | - 50 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 52 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標(biāo)名： | TrenchFET |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 系列： | SI7 |
| 晶體管類型： | 1 P-Channel |
| 商標(biāo)： | Vishay Semiconductors |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 25 S |
| 下降時(shí)間： | 10 ns |
| 產(chǎn)品類型： | MOSFET |
| 上升時(shí)間： | 13 ns |
| 工廠包裝數(shù)量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 42 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 11 ns |
| 零件號(hào)別名： | SI7113DN-GE3 |
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