技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | NXP |
| 型號(hào)： | SI2302DS,215 |
| 批號(hào)： | 20+ |
| 封裝： | SOT-23 |
| 數(shù)量： | 3650 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V SOT23 |
| 對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況： | 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求 |
| 濕氣敏感性等級(jí) （MSL）： | 1（無(wú)限） |
| 詳細(xì)描述： | 表面貼裝型-N-通道-20V-（Tc）-830mW（Tc）-TO-236AB（SOT23） |
| 數(shù)據(jù)列表： | SI2302DS; |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)卷帶 |
| 零件狀態(tài)： | 停產(chǎn) |
| 類(lèi)別： | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 產(chǎn)品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) |
| 系列： | TrenchMOS™ |
| 其它名稱(chēng)： | 568-5956-2 |
| FET 類(lèi)型： | N 通道 |
| 技術(shù)： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）： | （Tc） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | ， |
| 不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（值）： | 85 毫歐 @ ， |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（值）： | 650mV @ 1mA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（值）： | 10nC @ |
| Vgs（值）： | ±8V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（值）： | 230pF @ 10V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（值）： | 830mW（Tc） |
| 工作溫度： | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝： | TO-236AB（SOT23） |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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