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　　該系統為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發設備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

　　設備概述：

　　1.系統采用單室石英結構，手動上開門；

　　2.真空室上下組件及配備零部件全部采用優質不銹鋼材料制造（304），中間石英玻璃，

　　真空尺寸為； 可訂制；

　　3.極限真空度：≤ Pa (經烘烤除氣后，采用分子泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)；

　　系統真空檢漏漏率：≤/S； 系統從大氣開始抽氣到 Pa，35分鐘可達到

　　（可外接分子泵，預留分子泵接口)

　　4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

　　5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫；

　　6.噴淋頭尺寸：100×100mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-50mm連續可調；

　　7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

　　8.氣路設有勻氣系統，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

　　9.射頻電源：頻率 ，功率500W，全自動匹配；

　　10.（SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、）可選配。

　　11. 系統設有硅烷尾氣處理系統(高溫裂解方式)。