1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD主要適用于我公司制造的VTC-600-3HD三靶磁控濺射儀、VTC-600-2HD雙靶磁控濺射儀，該磁控濺射頭可安裝直徑為1"的靶材。可與直流、脈沖直流和射頻電源相匹配，因此可濺射各種靶材，如金屬靶材（如金、銀、銅等材料）、絕緣靶材（如陶瓷靶材、氧化物靶材、聚四氟乙烯靶材等）、磁性靶材、非磁性靶材等。且采用高真空的結構設計，可提高鍍膜質量。該濺射頭配裝有環形NdFeB永磁體在濺射頭上，以保證濺射鍍膜的效率和薄膜在樣品表面分布的均勻性。
產品型號 | 1英寸高真空磁控濺射頭HVMSS-SPC-1-LD |
主要特點 | 1、采用高質量的不銹鋼和陶瓷材料制作。 2、采用電磁場的有元計算法來設計永磁體，以得到較高的磁場強度和均勻分布。 3、磁體表面涂有保護層，以防止冷卻水的腐蝕，延長其使用壽命。 4、標準的HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配。 5、安裝采用標準真空接頭，便于操作。 6、靶材更換較為簡單，無需調整濺射頭的高度。 7、配有銅靶1塊。 |
技術參數 | 1、濺射頭直徑：Φ46.3mm 2、所用靶材：直徑1"±0.02"（25.4mm），zui大厚度1/8"（3mm） 3、磁環：NdFeB稀土永磁體 4、柄桿直徑：外徑3/4" 5、電路接頭：標準HN型接頭，可與DC和RF電源相匹配 6、所需功率：DCzui大250W，RFzui大100W 7、陰極濺射電流：zui大3A 8、陰極濺射電壓：200V-1000V 9、工作壓力范圍：1mtorr-1torr 10、濺射厚度均勻性：采用磁控濺射在氧化非晶硅片上沉積一個20nm的薄膜，直流功率150W，真空環境 10mtorr，1"銅靶，與基片距離75mm 11、水冷卻：水管接頭為外徑0.25"快插頭，所需水流量1/2GPM，進水溫度<20℃ 12、高真空快速接頭：為贈送品，數量1個，內徑為0.75"，可將濺射頭安裝在真空腔體上，真空腔體上的安裝 孔直徑為1"，真空腔體的壁厚不得大于1" 13、傾斜裝置：濺射頭相對于柄桿zui大可傾斜±45?，設有刻度線，可觀察到靶頭傾斜的角度 |
產品規格 | 尺寸：14"（355.6mm）；重量：1.36kg |
可選配件 | 1、循環水冷機，流量為16L/min，水箱容積為6L。 2、100W小型手動匹配型射頻電源RF-100-LD，可自行搭建濺射鍍膜儀。 |
主要應用 | 在真空腔體中HVMSS-SPC-1-LD磁控濺射頭可制作各種薄膜，應用如下： 薄膜涂覆、半導體器件、磁記錄介質、超導薄膜、量子計算器件、MEMS、生物傳感器、納米技術、超晶格、顆粒 膜、記憶合金、組合薄膜沉積、光學薄膜 |
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