鈣鈦礦鍍膜機主要由有機/金屬源蒸發沉積室、真空排氣系統、真空測量系統、蒸發源、樣品加熱控溫、電控系統、配氣系統等部分組成。適用于制備金屬單質薄膜、半導體薄膜、氧化物薄膜、有機薄膜等，可用于科研單位進行新材料、新工藝薄膜研究工作，也可用于大批量生產前的試驗工作，廣泛應用于有機、無機、鈣鈦礦薄膜太陽能電池、OLED等研究領域。鈣鈦礦鍍膜機工作過程中樣品位于真空室上方，蒸發源位于真空室下方，向上蒸發鍍膜，且蒸發源帶有擋板裝置，防止蒸發源被污染。
產品名稱 | 鈣鈦礦鍍膜機 |
主要特點 | 1、樣品位于真空室上方，蒸發源位于真空室下方，向上蒸發鍍膜，且蒸發源帶有擋板裝置。 2、設有烘烤加熱功能，可在鍍膜過程中加熱樣品，烘烤加熱溫度可達180℃。 3、設有斷水、斷電連鎖保護報警裝置及防誤操作保護報警裝置。 |
技術參數 | 1、鍍膜室：不銹鋼材料，采用方形前后開門結構，內帶有防污板，腔室尺寸約為600mm× 450mm×450mm 2、真空排氣系統：采用分子泵+機械泵系統 3、真空度：鍍膜室極限真空≤6×10-4Pa 4、系統漏率：≤1×10-7Pa 5、蒸發源：安裝在真空室的下底上；有機蒸發源4個、容積5ml，2臺蒸發電源，可測溫、 控溫，加熱溫度400℃，功率0.5KW；無機蒸發源4套、容積5ml，2臺蒸發電 源，加熱電流300A，功率3.2KW；蒸發源擋板采用自動磁力控制方式控制其開 啟 6、樣品架：安裝在真空室的上蓋上，可放置Ø120mm的樣品、載玻片，旋轉速度0-30rpm 7、加熱溫度：RT-180℃，測溫、控溫 8、膜厚控制儀：石英晶振膜厚控制儀，膜厚測量范圍0-999999Å |
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