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場效應管 STP7NK80ZFP 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP7NK80ZFP 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 19 技術參數(shù)品牌：ST型號：STP7NK80ZFP批號：19+20+封裝：TO-220F數(shù)量：21050QQ：制造商：STMicroelectronics產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220FP-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：800VId-連續(xù)漏極電流：5對比
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場效應管 STF2N62K3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STF2N62K3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15 技術參數(shù)品牌：ST型號：STF2N62K3批號：19+20+封裝：TO-220F數(shù)量：21050QQ：制造商：STMicroelectronics產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數(shù)量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：620VId-連續(xù)漏極電流：2對比
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場效應管 FGH50N3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FGH50N3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 32 技術參數(shù)品牌：FAIRCHILD型號：FGH50N3批號：19+20+封裝：TO-247數(shù)量：21050QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：IGBT晶體管RoHS：是技術：Si封裝/箱體：TO-247-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：300V集電極—射極飽和電壓：1對比
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場效應管 MRF8S9202NR3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRF8S9202NR3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 19
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場效應管 MRF5S9101NR1 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MRF5S9101NR1 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15
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場效應管 IRG4PC50UDPBF 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRG4PC50UDPBF 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 14 技術參數(shù)品牌：IR型號：IRG4PC50UDPBF批號：19+20+封裝：TO-247數(shù)量：21050QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-UGBT對比
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場效應管 SI4162DY-T1-GE3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SI4162DY-T1-GE3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 13 技術參數(shù)品牌：VISHAY型號：SI4162DY-T1-GE3批號：19+20+封裝：SOP-8數(shù)量：21050QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對比
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場效應管 SI4840DY-T1-E3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SI4840DY-T1-E3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 9 技術參數(shù)品牌：VISHAY型號：SI4840DY-T1-E3批號：19+20+封裝：SOP-8數(shù)量：21050QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對比
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場效應管 IRLH5030TRPBF 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRLH5030TRPBF 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 28 技術參數(shù)品牌：IR型號：IRLH5030TRPBF批號：19+20+封裝：QFN數(shù)量：21050QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對比
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場效應管 NTMFS4927NT1G 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTMFS4927NT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15
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場效應管 AON6362 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AON6362 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12 技術參數(shù)品牌：AOS型號：AON6362批號：19+20+封裝：DFN數(shù)量：21050QQ：類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管-FET對比
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場效應管 FDD6N20TM 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDD6N20TM 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12 技術參數(shù)品牌：FAIRCHILD型號：FDD6N20TM批號：19+20+封裝：TO-252數(shù)量：21050QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：200VId-連續(xù)漏極電流：4對比
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場效應管 SI1021R-T1-GE3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SI1021R-T1-GE3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 14 技術參數(shù)品牌：VISHAY型號：SI1021R-T1-GE3批號：19+20+封裝：SC75A數(shù)量：21050QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對比
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場效應管 FDS4480 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDS4480 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15 技術參數(shù)品牌：FAIRCHILD型號：FDS4480批號：19+20+封裝：SOP-8數(shù)量：21050QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續(xù)漏極電流：10對比
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場效應管 SI1012R-T1-E3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SI1012R-T1-E3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 14 技術參數(shù)品牌：VISHAY型號：SI1012R-T1-E3批號：19+20+封裝：SC-75A數(shù)量：21050QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對比
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場效應管 NTGD4167CT1G 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTGD4167CT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12 技術參數(shù)品牌：ON型號：NTGD4167CT1G批號：19+20+封裝：SOT23-6數(shù)量：21050QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOP-6通道數(shù)量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續(xù)漏極電流：2對比
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場效應管 IRF6621TRPBF 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRF6621TRPBF 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12
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場效應管 STP180NS04ZC 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STP180NS04ZC 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15
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場效應管 SI1308EDL-T1-GE3 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SI1308EDL-T1-GE3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 11
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IR 場效應管 IRFH5304TRPBF MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 16nC 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRFH5304TRPBF 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 11 技術參數(shù)品牌：IR型號：IRFH5304TRPBF批號：封裝：PQFN數(shù)量：16800QQ：制造商：Infineon產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PQFN-8通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續(xù)漏極電流：79ARdsOn-漏源導通電阻：4對比
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TI/德州儀器 場效應管 CSD18532Q5B MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON 參考價 ￥面議
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品牌 型號 CSD18532Q5B 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-08 瀏覽次數(shù) 11 技術參數(shù)品牌：TI/德州儀器型號：CSD18532Q5B批號：封裝：VSOP8數(shù)量：16800QQ：對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范的達標情況：含鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對比
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FQD7N10LTM 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FQD7N10LTM 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-08 瀏覽次數(shù) 14 技術參數(shù)品牌：ONSEMI型號：FQD7N10LTM封裝：TO252批次：21+數(shù)量：2860RoHS：是產(chǎn)品種類：電子元器件最小工作溫度：-10C工作溫度：125C最小電源電壓：1V電源電壓：9V長度：3對比
