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場(chǎng)效應(yīng)管 STP7NK80ZFP 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) STP7NK80ZFP 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 18 技術(shù)參數(shù)品牌：ST型號(hào)：STP7NK80ZFP批號(hào)：19+20+封裝：TO-220F數(shù)量：21050QQ：制造商：STMicroelectronics產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220FP-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：800VId-連續(xù)漏極電流：5對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 STF2N62K3 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) STF2N62K3 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15 技術(shù)參數(shù)品牌：ST型號(hào)：STF2N62K3批號(hào)：19+20+封裝：TO-220F數(shù)量：21050QQ：制造商：STMicroelectronics產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFETRoHS：是技術(shù)：Si安裝風(fēng)格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數(shù)量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：620VId-連續(xù)漏極電流：2對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 STP60NF06 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) STP60NF06 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 19
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場(chǎng)效應(yīng)管 FGH50N3 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FGH50N3 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 32 技術(shù)參數(shù)品牌：FAIRCHILD型號(hào)：FGH50N3批號(hào)：19+20+封裝：TO-247數(shù)量：21050QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT晶體管RoHS：是技術(shù)：Si封裝/箱體：TO-247-3安裝風(fēng)格：ThroughHole配置：Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO：300V集電極—射極飽和電壓：1對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 IRFB4310PBF 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IRFB4310PBF 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 27
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場(chǎng)效應(yīng)管 IRF2804PBF 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IRF2804PBF 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 27
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場(chǎng)效應(yīng)管 MRF8S9202NR3 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) MRF8S9202NR3 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 19
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場(chǎng)效應(yīng)管 MRF5S9101NR1 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) MRF5S9101NR1 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15
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場(chǎng)效應(yīng)管 IRF3710PBF 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IRF3710PBF 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 19
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場(chǎng)效應(yīng)管 FCH35N60 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FCH35N60 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 18
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GK6105S-BCBB 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) GK6105S-BCBB 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 20
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場(chǎng)效應(yīng)管 IRG4PC50UDPBF 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IRG4PC50UDPBF 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 14 技術(shù)參數(shù)品牌：IR型號(hào)：IRG4PC50UDPBF批號(hào)：19+20+封裝：TO-247數(shù)量：21050QQ：對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無(wú)限）類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-UGBT對(duì)比
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XC6206P382PR 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) XC6206P382PR 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 30
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SN74LS321N 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) SN74LS321N 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 17
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場(chǎng)效應(yīng)管 FQP19N20C 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FQP19N20C 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 23
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BYV42E-200 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) BYV42E-200 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 17
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FA5528N-A2-TE1 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FA5528N-A2-TE1 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 13
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場(chǎng)效應(yīng)管 STW48NM60N 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) STW48NM60N 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12
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場(chǎng)效應(yīng)管 SI4162DY-T1-GE3 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) SI4162DY-T1-GE3 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 13 技術(shù)參數(shù)品牌：VISHAY型號(hào)：SI4162DY-T1-GE3批號(hào)：19+20+封裝：SOP-8數(shù)量：21050QQ：對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無(wú)限）類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 SI4840DY-T1-E3 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) SI4840DY-T1-E3 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌：VISHAY型號(hào)：SI4840DY-T1-E3批號(hào)：19+20+封裝：SOP-8數(shù)量：21050QQ：對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無(wú)限）類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 SPP06N80C3 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) SPP06N80C3 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 19
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場(chǎng)效應(yīng)管 AO4435 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) AO4435 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 14
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其它類(lèi)型穩(wěn)壓器（DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器） AP1501-K5G-13 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) AP1501-K5G-13 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 11 技術(shù)參數(shù)品牌：DIODES/美臺(tái)型號(hào)：AP1501-K5G-13批號(hào)：19+20+封裝：TO-263-5數(shù)量：21050QQ：制造商：DiodesIncorporated產(chǎn)品種類(lèi)：穩(wěn)壓器—開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓器RoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-5拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：Buck輸出電壓：1對(duì)比
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通用邏輯門(mén)芯片 MC74LCX14DTR2G 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) MC74LCX14DTR2G 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 14 技術(shù)參數(shù)品牌：ON型號(hào)：MC74LCX14DTR2G批號(hào)：19+20+封裝：TSSOP數(shù)量：21050QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi)：變換器RoHS：是電路數(shù)量：6Circuit邏輯系列：74LCX邏輯類(lèi)型：CMOS電源電壓-：3對(duì)比
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其它類(lèi)型穩(wěn)壓器（DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器） AP1501-T5G-U 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) AP1501-T5G-U 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 8 技術(shù)參數(shù)品牌：DIODES/美臺(tái)型號(hào)：AP1501-T5G-U批號(hào)：19+20+封裝：TO-220-5L數(shù)量：21050QQ：制造商：DiodesIncorporated產(chǎn)品種類(lèi)：穩(wěn)壓器—開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓器RoHS：是安裝風(fēng)格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-5輸出電壓：1對(duì)比
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整流二極管 SBR40100CT 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) SBR40100CT 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 13 技術(shù)參數(shù)品牌：DIODES/美臺(tái)型號(hào)：SBR40100CT批號(hào)：19+20+封裝：TO-220數(shù)量：21050QQ：制造商：DiodesIncorporated產(chǎn)品種類(lèi)：肖特基二極管與整流器RoHS：是安裝風(fēng)格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220AB-3If-正向電流：40AVrrm-重復(fù)反向電壓：100VVf-正向電壓：0對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 AON6260 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) AON6260 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 20 技術(shù)參數(shù)品牌：AOS型號(hào)：AON6260批號(hào)：19+20+封裝：DFN數(shù)量：21050QQ：對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無(wú)限）類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對(duì)比
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INA214AIDCKR 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) INA214AIDCKR 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12 技術(shù)參數(shù)品牌：TI型號(hào)：INA214AIDCKR批號(hào)：19+20+封裝：SC70-6數(shù)量：21050QQ：制造商：TexasInstruments產(chǎn)品種類(lèi)：電流靈敏放大器RoHS：是系列：INA214通道數(shù)量：1ChannelGBP-增益帶寬產(chǎn)品：30kHzVcm-共模電壓：-0對(duì)比
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157-102-55008-TP 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) 157-102-55008-TP 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 19
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場(chǎng)效應(yīng)管 FDP050AN06A0 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FDP050AN06A0 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 18
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場(chǎng)效應(yīng)管 IRLH5030TRPBF 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) IRLH5030TRPBF 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 28 技術(shù)參數(shù)品牌：IR型號(hào)：IRLH5030TRPBF批號(hào)：19+20+封裝：QFN數(shù)量：21050QQ：對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無(wú)限）類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 NTMFS4927NT1G 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) NTMFS4927NT1G 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15
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場(chǎng)效應(yīng)管 DMNH6008SCT 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) DMNH6008SCT 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 11
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場(chǎng)效應(yīng)管 AON6362 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) AON6362 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12 技術(shù)參數(shù)品牌：AOS型號(hào)：AON6362批號(hào)：19+20+封裝：DFN數(shù)量：21050QQ：類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 FQD11P06TF 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FQD11P06TF 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 11
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場(chǎng)效應(yīng)管 2N7002T-7-F 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) 2N7002T-7-F 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 20
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其它類(lèi)型穩(wěn)壓器（DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器） TPS54561DPRR 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) TPS54561DPRR 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12 技術(shù)參數(shù)品牌：TI型號(hào)：TPS54561DPRR批號(hào)：19+20+封裝：QFN數(shù)量：21050QQ：制造商：TexasInstruments產(chǎn)品種類(lèi)：穩(wěn)壓器—開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓器RoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：WSON-10拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：Buck輸出電壓：800mVto59V輸出電流：5A輸出端數(shù)量：1Output輸入電壓：60V最小輸入電壓：4對(duì)比
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MC14174BCP 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) MC14174BCP 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 9
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DM74LS138N 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) DM74LS138N 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 15
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存儲(chǔ)IC NAND04GW3B2DN6E 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) NAND04GW3B2DN6E 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 16
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接口IC XIO2200AZGW 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) XIO2200AZGW 類(lèi)型 其他場(chǎng)效應(yīng)管 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 18 技術(shù)參數(shù)品牌：TI型號(hào)：XIO2200AZGW批號(hào)：19+20+封裝：BGA176數(shù)量：21050QQ：制造商：TexasInstruments應(yīng)用：PCIExpress至PCI轉(zhuǎn)換橋接口：PCI電壓-供電：1.35V~1.65V對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 FDD6N20TM 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FDD6N20TM 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 12 技術(shù)參數(shù)品牌：FAIRCHILD型號(hào)：FDD6N20TM批號(hào)：19+20+封裝：TO-252數(shù)量：21050QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFETRoHS：是技術(shù)：Si安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：200VId-連續(xù)漏極電流：4對(duì)比
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場(chǎng)效應(yīng)管 FDS6679AZ 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) FDS6679AZ 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 11
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場(chǎng)效應(yīng)管 SI1021R-T1-GE3 參考價(jià) ￥面議
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品牌 型號(hào) SI1021R-T1-GE3 類(lèi)型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-12-09 瀏覽次數(shù) 14 技術(shù)參數(shù)品牌：VISHAY型號(hào)：SI1021R-T1-GE3批號(hào)：19+20+封裝：SC75A數(shù)量：21050QQ：對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況：無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)（MSL）：1（無(wú)限）類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族：晶體管-FET對(duì)比
