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FDC637BNZ 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDC637BNZ 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-07 瀏覽次數 11 技術參數品牌：ON安森美型號：FDC637BNZ批次：21+數量：10000類別：分立半導體產品晶體管-FET對比
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MCH6445-TL-W 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 MCH6445-TL-W 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-07 瀏覽次數 19
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FDB035N10A 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDB035N10A 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：ON安森美型號：FDB035N10A批次：21+數量：10000類別：分立半導體產品晶體管-FET對比
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NTE4153NT1G 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTE4153NT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 7 技術參數品牌：ON安森美型號：NTE4153NT1G批次：21+數量：10000制造商：onsemi產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SC-89-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：915mARdsOn-漏源導通電阻：230mOhmsVgs-柵極-源極電壓：-6V對比
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NTGS4111PT1G 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTGS4111PT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：ON安森美型號：NTGS4111PT1G批次：21+數量：10000制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOP-6通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：4對比
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IRFB7440PBF 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRFB7440PBF 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 7 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IRFB7440PBF批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續漏極電流：120ARdsOn-漏源導通電阻：2對比
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STH3N150-2 場效應管 ST 意法 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STH3N150-2 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8 技術參數品牌：ST意法型號：STH3N150-2批次：21+數量：15000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：H2PAK-2晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：1對比
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STN1NK60Z 場效應管 ST 意法 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STN1NK60Z 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8
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IKP20N60T 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IKP20N60T 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IKP20N60T批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-220-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：1對比
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IPW60R070C6 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IPW60R070C6 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 10
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STD30NF06LT4 場效應管 ST 意法 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STD30NF06LT4 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 10
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IPW90R120C3 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IPW90R120C3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8
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BSC0902NS 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BSC0902NS 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：BSC0902NS批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TDSON-8通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：100ARdsOn-漏源導通電阻：2對比
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IRFS7430TRL7PP 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRFS7430TRL7PP 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8
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BTA40-600B 可控硅/晶閘管 ST 意法 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BTA40-600B 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 7 技術參數品牌：ST意法型號：BTA40-600B批次：21+數量：15000制造商：STMicroelectronics產品種類：雙向可控硅RoHS：是系列：BTA40不重復通態電流：315A額定重復關閉狀態電壓VDRM：600V關閉狀態漏泄電流（在VDRMIDRM下）：5uA開啟狀態電壓：1對比
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STB57N65M5 場效應管 ST 意法 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STB57N65M5 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 11 技術參數品牌：ST意法型號：STB57N65M5批次：21+數量：15000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：650VId-連續漏極電流：26對比
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IKW50N60T 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IKW50N60T 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IKW50N60T批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：IGBT晶體管RoHS：是封裝/箱體：TO-247-3安裝風格：ThroughHole配置：Single集電極—發射極電壓VCEO：600V集電極—射極飽和電壓：1對比
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SPA17N80C3 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SPA17N80C3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8
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IPB65R190CFD 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IPB65R190CFD 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 10 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IPB65R190CFD批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：650VId-連續漏極電流：17對比
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STW3N150 場效應管 ST 意法 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STW3N150 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 10 技術參數品牌：ST意法型號：STW3N150批次：21+數量：15000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-247-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：1對比
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IPB083N10N3G 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IPB083N10N3G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 10 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IPB083N10N3G批次：21+數量：12000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-10C工作溫度：90C最小電源電壓：3V電源電壓：6V長度：6對比
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BSC0902NSI 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BSC0902NSI 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 10 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：BSC0902NSI批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TDSON-8通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：100ARdsOn-漏源導通電阻：2對比
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BSP171PH6327XTSA1 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BSP171PH6327XTSA1 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：BSP171PH6327XTSA1批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PG-SOT-223-4通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：1對比
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STD86N3LH5 場效應管 ST 意法 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STD86N3LH5 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 11
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BSC010NE2LSI 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BSC010NE2LSI 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：BSC010NE2LSI批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PG-TDSON-8通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：25VId-連續漏極電流：100ARdsOn-漏源導通電阻：1對比
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SPP17N80C3 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SPP17N80C3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8
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IRFH7004TRPBF 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRFH7004TRPBF 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IRFH7004TRPBF批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PQFN-8晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：40VId-連續漏極電流：259ARdsOn-漏源導通電阻：1對比
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SPW17N80C3 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 SPW17N80C3 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9
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BSC123N08NS3GATMA1 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 BSC123N08NS3GATMA1 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：BSC123N08NS3GATMA1批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PG-TDSON-8晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：80VId-連續漏極電流：55ARdsOn-漏源導通電阻：12對比
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2N7002LT1G 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 2N7002LT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 6 技術參數品牌：ON安森美型號：2N7002LT1G批次：21+數量：10000類別：分立半導體產品晶體管-FET對比
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FDC5614P 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDC5614P 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 8 技術參數品牌：ON安森美型號：FDC5614P批次：21+數量：10000類別：分立半導體產品晶體管-FET對比
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NTF2955T1G 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTF2955T1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：ON安森美型號：NTF2955T1G批次：21+數量：10000制造商：onsemi產品種類：MOSFET安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-223-3晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：2對比
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NTZD3155CT2G 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTZD3155CT2G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 12 技術參數品牌：ON安森美型號：NTZD3155CT2G批次：21+數量：10000制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-563-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel對比
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CPH3461-TL-W 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 CPH3461-TL-W 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：ON安森美型號：CPH3461-TL-W批次：21+數量：10000制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：250VId-連續漏極電流：350mARdsOn-漏源導通電阻：6對比
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NTGS4141NT1G 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTGS4141NT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 7
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FDY3000NZ 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FDY3000NZ 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：ON安森美型號：FDY3000NZ批次：21+數量：10000類別：分立半導體產品晶體管-FET對比
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NTR4502PT1G 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTR4502PT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：ON安森美型號：NTR4502PT1G批次：21+數量：10000類別：分立半導體產品晶體管-FET對比
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FGH60N60SMD 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 FGH60N60SMD 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 7
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NTS2101PT1G 場效應管 ON 安森美 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTS2101PT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 12 技術參數品牌：ON安森美型號：NTS2101PT1G批次：21+數量：10000制造商：onsemi產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-323-3晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：8VId-連續漏極電流：1對比
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STGWA60H65DFB 場效應管 ST 意法 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STGWA60H65DFB 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 7
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IPB107N20N3G 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IPB107N20N3G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 10 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IPB107N20N3G批次：21+數量：12000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-20C工作溫度：100C最小電源電壓：1V電源電壓：9V長度：3對比
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IRF7749L1TRPBF 場效應管 Infineon 英飛凌 批次21+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 IRF7749L1TRPBF 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-06 瀏覽次數 9 技術參數品牌：Infineon英飛凌型號：IRF7749L1TRPBF批次：21+數量：12000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：DirectFET-L8晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：60VId-連續漏極電流：200ARdsOn-漏源導通電阻：1對比
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ECH8697R-TL-W 場效應管 全系列收貨 封裝率接貨 批號2022+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 ECH8697R-TL-W 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-03 瀏覽次數 14 技術參數品牌：全系列收貨型號：ECH8697R-TL-W封裝：高效率接貨批號：2022+數量：1RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-10C工作溫度：80C最小電源電壓：5V電源電壓：9對比
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STGWT20H60DF 場效應管 全系列收貨 封裝率接貨 批號2022+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 STGWT20H60DF 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-03 瀏覽次數 16 技術參數品牌：全系列收貨型號：STGWT20H60DF封裝：高效率接貨批號：2022+數量：1RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-30C工作溫度：80C最小電源電壓：4對比
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AON7407 場效應管 全系列收貨 封裝率接貨 批號2022+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AON7407 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-03 瀏覽次數 10 技術參數品牌：全系列收貨型號：AON7407封裝：高效率接貨批號：2022+數量：1RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-40C工作溫度：80C最小電源電壓：1V電源電壓：6V長度：6對比
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AON6262E 場效應管 全系列收貨 封裝率接貨 批號2022+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 AON6262E 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-03 瀏覽次數 17 技術參數品牌：全系列收貨型號：AON6262E封裝：高效率接貨批號：2022+數量：1RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-30C工作溫度：100C最小電源電壓：4V電源電壓：9對比
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NX2301P,215 場效應管 全系列收貨 封裝率接貨 批號2022+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NX2301P 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-03 瀏覽次數 13 技術參數品牌：全系列收貨型號：NX2301P,215封裝：高效率接貨批號：2022+數量：1RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-50C工作溫度：80C最小電源電壓：2V電源電壓：6對比
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RTQ035N03TR 場效應管 全系列收貨 封裝率接貨 批號2022+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 RTQ035N03TR 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-03 瀏覽次數 16 技術參數品牌：全系列收貨型號：RTQ035N03TR封裝：高效率接貨批號：2022+數量：1RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-40C工作溫度：125C最小電源電壓：5V電源電壓：8V長度：7對比
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NTJD5121NT1G 場效應管 全系列收貨 封裝率接貨 批號2022+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 NTJD5121NT1G 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-03 瀏覽次數 14 技術參數品牌：全系列收貨型號：NTJD5121NT1G封裝：高效率接貨批號：2022+數量：1RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-10C工作溫度：80C最小電源電壓：4對比
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DMP2123L-7 場效應管 全系列收貨 封裝率接貨 批號2022+ 參考價 ￥面議
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品牌 型號 DMP2123L-7 類型 絕緣柵(MOSFET) 廠商性質 其他 更新時間 2023-12-03 瀏覽次數 10 技術參數品牌：全系列收貨型號：DMP2123L-7封裝：高效率接貨批號：2022+數量：1RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-40C工作溫度：80C最小電源電壓：2對比
