產品簡介
技術參數品牌：NXP型號：A2G26H281-04SR3批號：20+封裝：數量：1000QQ：制造商：NXP產品種類：射頻結柵場效應晶體管(RFJFET)晶體管RoHS：是技術：GaN增益：14
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | A2G26H281-04SR3 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | GaN |
| 增益： | 14.2 dB |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 125 V |
| Vgs-柵源極擊穿電壓 ： | - 8 V, 0 V |
| 輸出功率： | 50 W |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | NI-780S-4 |
| 封裝： | Reel |
| 配置： | Dual |
| 工作頻率： | 2496 MHz to 2690 MHz |
| 商標： | NXP Semiconductors |
| 產品類型： | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 250 |
| 子類別： | Transistors |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | - 2.3 V |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | 4.652 g |
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