產品簡介
技術參數品牌：DIODES型號：DMG4932LSD-13批號：20+封裝：SMD數量：60000QQ：描述：MOSFET2N-CH30V9
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | DIODES |
| 型號： | DMG4932LSD-13 |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | SMD |
| 數量： | 60000 |
| QQ： | |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO |
| 對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況： | 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求 |
| 濕氣敏感性等級 （MSL）： | 1（無限） |
| 詳細描述： | MOSFET-陣列-2-N-通道（雙）-30V-9.5A-1.19W-表面貼裝型-8-SO |
| 數據列表： | DMG4932LSD; |
| 標準包裝： | 1 |
| 包裝： | 剪切帶（CT） |
| 零件狀態： | 停產 |
| 類別： | 分立半導體產品 |
| 產品族： | 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 |
| 系列： | - |
| 其它名稱： | DMG4932LSD-13DICT |
| FET 類型： | 2 N-通道（雙） |
| FET 功能： | 邏輯電平門 |
| 漏源電壓（Vdss）： | 30V |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 9.5A |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 15 毫歐 @ 9A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 42nC @ 10V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 1932pF @ 15V |
| 功率 - 值： | 1.19W |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商器件封裝： | 8-SO |
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