產品簡介
技術參數品牌：ON型號：BC808-25LT1G批號：21+封裝：SO/DIP數量：60000QQ：制造商：ONSemiconductor晶體管類型：PNP不同 Ib、Ic時 Vce飽和壓降（值）：700mV@50mA
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | BC808-25LT1G |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | SO/DIP |
| 數量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 晶體管類型： | PNP |
| 不同 Ib、Ic 時 Vce 飽和壓降（值）： | 700mV @ 50mA，500mA |
| 電流 - 集電極截止（值）： | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）： | 160 @ 100mA，1V |
| 頻率 - 躍遷： | 100MHz |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 封裝/外殼： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 電流 - 集電極 (Ic)（值）： | 500 mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（值）： | 25 V |
| 功率 - 值： | 300 mW |
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