Panasonic Plasma Dicing 松下等離子切割設備
Plasma Dicer APX300
Plasma Dicer APX300
松下APX300是一款專為高附加值硅基芯片和小型芯片開發的等離子切割設備,與傳統機械切割設備相比,具有切割、wafer無損傷、wafer利用率高等特點。
應用領域:傳感器/儲存器、物聯網等領域具有微小、輕薄、易碎、需要清潔等特點的wafer切割,例如:low-k wafer(易碎)、3D/TSV芯片(輕薄)、圖像傳感器(清潔度要求高)、MEMS(易碎)、RFID芯片(微小)。
等離子切割設備的應用領域
產品優勢:
1. 無損傷,切口整齊平整,無雜質碎屑,在電鏡下觀測形貌無損傷。
等離子切割與傳統機械切割在硅片斷裂形式上的不同
等離子切割與傳統機械切割在切面形貌上更平整,且結構上無應力損傷
等離子切割后,芯片的抗彎強度提高并且數據分布更窄
2. wafer利用率高、在小芯片切割上具有成本優勢
切割道小可達20μm,多可提高30%的wafer利用率
整片一次性切割,芯片尺寸越小,單片效率越高
3. 采用無水工藝、可切割異形芯片
工藝介紹:
工藝一:光刻+等離子切割(多用于<3mm晶片切割)
在表面涂覆光刻膠后進行曝光顯影,形成分割好的mask層,然后進行等離子切割切斷Si層。
工藝二:激光+等離子切割(多用于>3mm晶片切割)
先在表面貼一層雙層mask膠帶(上層為保護層、下層為mask層),之后翻面進行背面減薄,翻面并揭掉上面保護層,然后用激光切割mask層和金屬層/低介電層,之后再進行等離子切割切斷Si層。
整個工藝配套:膠帶、背減薄設備、光刻系統、激光器、層壓、等離子切割、測試設備
設備基本參數:
設備型號 | APX300 |
等離子源 | ICP等離子體 |
加工用氣體 | 4管道(標準) 6管道(可擴展,氯氣、氟氣、氬氣、氧氣、氦氣等) |
晶圓尺寸 | 12寸 |
體積 | W 1,350 x D 2,230 x H 2,000(不包括觸摸屏、操作系統和信號塔) |
重量 | 約2100Kg(具體數值取決于選擇配件種類) |
供電 | 三相電、AC200/208/220/230/240V±10V,50/60Hz, |
氣源 | MPa,250 L/min () |
氮氣源 | MPa,50 L/min () |
















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