高能對應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400
可對應(yīng)至2400KeV的高能離子注入裝置。
產(chǎn)品特性 / Product characteristics
?枚葉式
?可對應(yīng)薄片Wafer
?平行Beam
產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application
? 功率器件相關(guān)薄片基板工藝、IGBT工藝
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高能對應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400可對應(yīng)至2400KeV的高能離子注入裝置
高能對應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400
可對應(yīng)至2400KeV的高能離子注入裝置。
產(chǎn)品特性 / Product characteristics
?枚葉式
?可對應(yīng)薄片Wafer
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