ICP 刻蝕機(jī) :高密度等離子蝕刻裝置NE-550
特點(diǎn):
等離子密度與向基板入射的能量能夠單獨(dú)控制,因此Process window寬。
均一性好。
離子性蝕刻到radical性蝕刻都能都大幅度控制。
構(gòu)造簡(jiǎn)單,維護(hù)。
來自半導(dǎo)體技術(shù)研究所的工藝支持體制。
CS(Customer’s Support)解決方案的綜合服務(wù)體制。
可選Cassette室,提高生產(chǎn)量。
豐富的Process Application:
: Inductively Super Magnetron有磁場(chǎng)ICP型
是可以由低電源得到穩(wěn)定均一的放電,達(dá)到Damage少的蝕刻。
3.使用不揮發(fā)性材料的次時(shí)代memory‐Al2O3,磁性體,Pt, Ir, PZT, SBTO等
4.頻率器件,光器件。
‐絕緣膜,GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire,GaN,STO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide,BST, STO
5.各種傳感器器件等Photo Nic結(jié)晶。
(micromachine)
裝置構(gòu)成 | L/L室+蝕刻室 | 特征 | 靜磁場(chǎng)配置的貼切性 |
蝕刻方式 | ISM(有磁場(chǎng)ICP) | ULVAC | 高密度化與均一性控制 |
電源 | Antenna部1000W, Bias部300W | 等離子密度( Ar氣) | 1×1011 |
Wafer尺寸 | 50~200mm, tip型,可以tray處理 | 電子溫度(eV) | 3~5 |
Process室 | ISM是靜電zipper+Gas冷卻 | 放電穩(wěn)定性(Pa) | |
排氣系 | 蝕刻室:TMP+DRP | 均一性(±%) | 5 |
操作系 | PLC+TFT面板 | RF投入窗depot對(duì)策 | 有 |
Gas導(dǎo)入系 | MAX8系統(tǒng)(氯素系3) | 再現(xiàn)性、穩(wěn)定性對(duì)策 | 有各種調(diào)溫功能 |
















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