Electron Beam Lithography System(EBL)
電子束光刻系統(tǒng)
日本CRESTEC是世界上制造電子束光刻設(shè)備的廠商之一,其制造的電子束光刻機(jī)以其的技術(shù),的電子束穩(wěn)定性,電子束定位精度以及拼接套刻精度贏得了世界上科研機(jī)構(gòu)以及半導(dǎo)體公司的青睞。其中CABL系列更是世界上的產(chǎn)品之一。
CRESTEC CABL系列采用的恒溫控制系統(tǒng),使得整個(gè)主系統(tǒng)的溫度保持恒定,再加上主系統(tǒng)內(nèi)部傳感裝置,使得電子束電流穩(wěn)定性,電子束定位穩(wěn)定性,電子束電流分布均一性都得到了極大的提高,其性能指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它廠家的同類產(chǎn)品,在長(zhǎng)達(dá)5小時(shí)的時(shí)間內(nèi),電子束電流和電子束定位非常穩(wěn)定,電子束電流分布也非常均一。
由于EBL刻寫(xiě)精度很高,因此寫(xiě)滿整個(gè)Wafer需要比較長(zhǎng)的時(shí)間,因此電子束電流,電子束定位, 電子束電流分布均一性在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)的穩(wěn)定性就顯得尤為重要,這對(duì)大范圍內(nèi)的圖形制備非常關(guān)鍵。
CRESTEC CABL系列采用其的技術(shù)使其具有的電子束穩(wěn)定性以及電子束定位精度,在大范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)圖形的拼接和套刻。
Stitching accuracy | 50nm (500μm sq μ+ 3σ)
20nm (50μm sq μ+ 2σ) |
Overlay accuracy | 50nm (500μm sq μ+ 3σ)
20nm (50μm sq μ+ 2σ) |
Stitching accuracy for slant L&S <10nm
該圖是在2英寸wafer上,采用50 um的圖案進(jìn)行拼接,寫(xiě)滿整個(gè)片子,其拼接精度低于10nm.(實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù))。
CRESTEC CABL系列還可以加工制備10 nm以下的線條,無(wú)論半導(dǎo)體行業(yè)還是在其它領(lǐng)域
CRESTEC的電子束光刻產(chǎn)品都發(fā)揮了巨大的作用。
主要特點(diǎn):
1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的TFE電子槍
2.電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù) 3.采用場(chǎng)尺寸調(diào)制技術(shù),電子束定位分辨率(address size)可達(dá)
4.采用軸對(duì)稱圖形書(shū)寫(xiě)技術(shù),圖形偏角分辨率可達(dá)
5.應(yīng)用領(lǐng)域,如微納器件加工,Si/GaAs兼容工藝,研究用掩膜制造,納米加工(例如單電子器件、器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),圖形線寬和圖形位移測(cè)量等。















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