EVG 810 LT LowTemp™ Plasma Activation System

EVG 810LT LowTemp™等離子系統(tǒng)

適用于SOI，MEMS，化合物半導體和基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng)

技術數(shù)據(jù)

EVG810 LT LowTemp™等離子活化系統(tǒng)是具有手動操作的單腔獨立單元。 處理室允許進行異位處理（晶圓被一一并結合在等離子體室外部）。

特征

表面等離子體活化，用于低溫粘結（熔融/分子和中間層粘結）

晶圓鍵合機制中zui快的動力學

無需濕工藝

低溫退火（zui高400°C）下的zui高粘結強度

適用于SOI，MEMS，化合物半導體和高級基板粘接

高度的材料兼容性（包括CMOS）

EVG810 LT技術數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：50-200、100-300毫米

LowTemp™等離子活化室

工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）

通用質量流量控制器：自校準（高達 sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2 mbar

腔室的打開/關閉：自動化

EVG810 LT技術數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：50-200、100-300毫米

LowTemp™等離子活化室

工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）

通用質量流量控制器：自校準（高達 sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2 mbar

腔室的打開/關閉：自動化

腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）

可選功能

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3 mbar基本壓力

符合LowTemp™等離子活化粘結的材料系統(tǒng)

Si：Si / Si，Si / Si（熱氧化，Si（熱氧化）/ Si（熱氧化）

TEOS / TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si / Ge

硅/氮化硅

玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半導體：GaAs，GaP，InP