主要應用于MEMS制造、微流體芯片、化合物半導體的薄片處理、晶圓級封裝以及3D互聯(lián)、TSV工藝。
主要特點
化降低客戶總擁有成本（TCO）
鍵合溫度450度，壓力10KN
的硅片低壓契型補償系統(tǒng)以提高良率
溫度均勻性： <+/- 1%；壓力均勻性：<+/- 5%
工藝菜單與其他鍵合系統(tǒng)通用
高真空鍵合腔室 (可低至 10-5 mbar，使用分子泵)
開放式腔室設計便于快速轉(zhuǎn)換和維護
基于Windows的控制軟件和操作界面
小化占地占地面積--- 200 mm鍵合系統(tǒng)占地 m2
技術(shù)參數(shù)
加熱器尺寸=晶片尺寸（mm） | 150mm 或200mm | |
小硅片直徑 | 150mm加熱器：單一小片或碎片；200mm加熱器：100mm | |
鍵合卡盤/對準系統(tǒng) | 150mm加熱器 | EVG610，EVG620，EVG6200 |
200mm加熱器 | EVG6200，MBA300，Smartview | |
鍵合腔 | 接觸壓力 | ，10KN，20KN |
溫度 | 450℃ | |
真空度 | (標配)，1E-5（可選） | |
陽極鍵合功率 | 0-2000V，0-50A | |
腔室個數(shù) | 1 | |
上料腔室 | 手動 | |
工藝菜單 | 與其他鍵合設備兼容 | |
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