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PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:PICOSUN原子層沉積系統ALD
  • 品牌:
  • 產品類別:其他電子產品制造設備
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-01-05 12:31:40
  • 瀏覽次數:11
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  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:522條
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產品簡介

PICOSUN原子層沉積系統ALDR-300高級版(PICOSUN™ALDP-300Advanced) 名稱:原子層沉積系統 產地:芬蘭 Picosun簡介Picosun是yi家公司,Picosun的總部位于芬蘭的Espoo,其生產設施位于芬蘭的Masala(Kirkkonummi)

詳情介紹

PICOSUN原子層沉積系統ALD R-300高級版

(PICOSUN™ ALD P-300 Advanced)

名稱:原子層沉積系統 產地:芬蘭

Picosun簡介

Picosun是yi家公司,Picosun的總部位于芬蘭的Espoo,其生產設施位于芬蘭的MasalaKirkkonummi)。PICOSUN®ALD設備專為高產量和高產量而設計,并且不斷發展以提。Picosun適應性強其客戶包括zui 大的電子制造商,小型的型挑戰者以及的大學。 Picosun的組織機構和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個客戶的需求。PICOSUN®研發工具具有的內置可擴展性,可確保將研究結果平穩過渡到大批量工業制造中,而不會出現技術差距。Picosun的熱情在于。當您想與設備制造商共同創建定制的ALD解決方案,從而引ling行業發展時,Picosun是您的合作伙伴。


PICOSUN™ R系列設備提供高質量ALD薄膜的沉積技術,并在各種各樣的襯底上都表現的均勻性,包括zui具挑戰性的通孔的、深寬比和顆粒等樣品。我們為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的,易更換的前驅源系統,能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度zui小的薄膜層。在zui基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個獨立的,分離的源入口匹配多種類型的前驅源。PICOSUN™ R系列的擴展性使ALD工藝可以從研究環境直接過渡到生產環境的PICOSUN™ P系列ALD系統。由于研發型與生產型PICOSUN™反應腔室核心設計特點都是相同的,這消除了實驗室與制造車間之間的鴻溝。對大學來說,突破的技術轉化到生產中,就會吸引到企業投資。

PICOSUN®R-300高級

Picosun™300mm生產線上的產品是300mm以下晶圓的自動化、高產量的工業ALD加工設備。包括PICOSUN™P系列Pro和Advanced ALD設備。該工具可以獨立工作,也可以集成到PICOPLATFORM™300真空集群系統以達到更高的產量和自動化水平。為了節約昂貴的設施空間,所有PICOSUN™的ALD系統有著緊湊、高效的設計。集成的機柜,裝載著前驅體和電子元件,保證了快速簡便的維護和zui短的停機時間。PICOSUN™P系列工具保證了zui大產能以及zui節約成本的情況下得到的ALD工藝質量,并履行嚴格的現代半導體產業的生產力和安全要求。

工藝咨詢和開發,產能提升,維護保養流程和系統及工藝的故障排除,我們客戶化定制的PICOSUPPORT™綜合解決方案24小時快速響應,隨時待命。在購買之前,我們的演示服務保證了設備可以滿足客戶zui苛刻的產線需求。

技術指標

襯底尺寸和類型

156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(雙面/背對背)

高達300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(雙面/背對背)

大批量的3D產品(例如:鐘表部件,珠寶,硬幣,醫療植入部件,機械部件等)

粉末與顆粒

Roll-to-roll, 襯底zui大寬 300 mm

多孔,通孔,與高深寬比(HAR)樣品

工藝溫度

50-500℃

基片傳送選件

氣動升降(手動裝載)

半自動裝載,用線性裝載器實現

全自動轉載,用工業機器人實現

前驅體

液態、固態、氣態、臭氧源

前驅源余量傳感器,并提供清洗和裝源服務

4根獨立源管線,zui多加載6個前驅體源

重量

400 + 300 kg

尺寸 (W x H x D)

149 cm x 191 cm x 111 cm

選件

PICOFLOW™ 擴散增強器,N2發生器,尾氣處理器,定制設計,與工廠軟件連接服務。

驗收標準

標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝

應用領域

客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設備在150mm和200mm(6“和8")晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數據。

材料

非均勻性(1σ)

AI2O3 (batch)

%

SiO2 (batch)

%

TiO2

%

HfO2

%

ZnO

%

Ta2O5

%

TiN

%

CeO2

%

Pt

%


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