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ComBond®Automated High-Vacuum Wafer Bonding System

ComBond®自動化的高真空晶圓鍵合系統

高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西"的共價鍵

EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求。EVG ComBond支持的應用領域包括的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到MEMS封裝，邏輯和“超越CMOS"器件。

EVG ComBond系統的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發和高通量，大批量制造環境中的各種苛刻的客戶需求量身定制。EVG ComBond促進了具有不同晶格常數和熱膨脹系數（CTE）的異質材料的粘合，并通過其的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成。 EVG ComBond高真空技術還可以實現鋁等金屬的低溫粘合，這種金屬可以在周圍環境中快速重新氧化。對于所有材料組合，都可以實現無空隙和無顆粒的粘結界面以及粘結強度。

特征

高真空，對齊，共價鍵合

在高真空環境（<5·10-8 mbar）中進行處理

原位亞微米面對面對準精度

高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除

的表面性能

導電結合

室溫過程

多種材料組合，包括金屬（鋁）

無應力粘結界面

高粘結強度

用于HVM和R＆D的模塊化系統

多達六個模塊的靈活配置

基板尺寸為200毫米

自動化

技術數據

真空度：處理：<7e-8 mbar；處理：<5E-8毫巴

集群配置

處理模塊：小 3，6

加載：手動，卡帶，EFEM

可選的過程模塊：

鍵合模塊

ComBond®模塊（CAM）

烘烤模塊

真空對準模塊（VAM）

晶圓直徑：高達200毫米；