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ULVAC 研究開發(fā)用濺射設(shè)備 QAM系列

QAM 系列鍍膜設(shè)備是一種用于研究開發(fā)的濺射鍍膜機(jī)，可用于各種基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的濺射鍍膜制程

主要特征

A.低壓濺 工藝環(huán)境

l 能在較低壓力下進(jìn)行濺射成膜（持續(xù)放電壓力 1~

B.應(yīng)對(duì)磁性材料薄膜的制程

l 陰極可以安裝各種磁場(chǎng)材料的靶材（Fe、Ni、Co 等）

C.多組分共成膜/多層成膜

l 多陰極同時(shí)對(duì)位基板中心，能夠進(jìn)行多組分共成膜

l 開閉可控的擋板設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)多層膜的制備

D. 良好的膜厚均勻性/穩(wěn)定沉積

l 傾斜入射的濺射過程，實(shí)現(xiàn)良好的膜厚均勻性

l 采用ULVAC-LTS 1技術(shù)，大程度抑制陰極邊緣不勻等

離子體對(duì)基板的影響，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定沉積

注 ） 1：LTS：Long Throw Sputter

E. UHV 對(duì)應(yīng)

l 通過增加選項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)部品，可實(shí)現(xiàn)腔體本底 高真空：×10‐6Pa 以下真空壓力。

F. 高拓展性

l 通過變更相應(yīng)模塊或部件適應(yīng)性設(shè)計(jì)，來實(shí)現(xiàn)更多用途

低真空工藝環(huán)境

本設(shè)備具備約1Pa～的等離子體持續(xù)放電壓力范圍，與傳統(tǒng)設(shè)備相比能 夠在更低壓力下進(jìn)行濺射成膜。

多組分共濺射/多層膜濺射

本設(shè)備具有多陰極同時(shí)對(duì)準(zhǔn)襯底中心的結(jié)構(gòu)，從而能夠進(jìn)行多組分共濺射成 膜。另外可以通過控制擋板開閉實(shí)現(xiàn)多層膜的制備。

良好的膜厚分布

本設(shè)備采用對(duì)襯底傾斜的入射方式，從而能夠?qū)崿F(xiàn)非常良好的膜厚分布。

LTS的采用

本設(shè)備通過采用ULVAC的LTS ※ 1技術(shù)，從而能夠盡可能的抑制陰極附近的不均勻等離子體對(duì)襯底的影響。

并且，該技術(shù)還能夠盡可能的抑制來自陰極磁鐵磁場(chǎng)的影響。 注） 1：LTS：Long Throw Sputter

對(duì)磁性材料薄膜的對(duì)應(yīng)

本設(shè)備中使用的陰極能夠?qū)?yīng)各種磁性材料（Fe、Ni、Co等）。

操作界面前置

本設(shè)備通過將操作界面集中配置在設(shè)備前方，使得操作者能夠僅在設(shè)備正面完 成設(shè)備的開啟、關(guān)閉以及成膜等操作。的功能、直觀的的操作以及安全性的實(shí)現(xiàn)