Electron Beam Lithography System(EBL)
電子束光刻系統
是世界上制造電子束光刻設備的廠商之一,其制造的電子束光刻機以其的技術,的電子束穩定性,電子束定位精度以及拼接套刻精度。
系列采用的恒溫控制系統,使得整個主系統的溫度保持恒定,再加上主系統內部傳感裝置,使得電子束電流穩定性,電子束定位穩定性,電子束電流分布均一性都得到了極大的提高,其性能指標遠遠高于其它廠家的同類產品,在長達5小時的時間內,電子束電流和電子束定位非常穩定,電子束電流分布也非常均一。
由于EBL刻寫精度很高,因此寫滿整個Wafer需要比較長的時間,因此電子束電流,電子束定位, 電子束電流分布均一性在長時間內的穩定性就顯得尤為重要,這對大范圍內的圖形制備非常關鍵。
系列采用其的技術使其具有的電子束穩定性以及電子束定位精度,在大范圍內可以實現圖形的拼接和套刻。
Stitching accuracy | 50nm (500μm sq μ+ 3σ)
20nm (50μm sq μ+ 2σ) |
Overlay accuracy | 50nm (500μm sq μ+ 3σ)
20nm (50μm sq μ+ 2σ) |
Stitching accuracy for slant L&S <10nm
該圖是在2英寸wafer上,采用50 um的圖案進行拼接,寫滿整個片子,其拼接精度低于10nm.(實驗室數據)。
還可以加工制備10 nm以下的線條,無論半導體行業還是在其它領域
的電子束光刻產品都發揮了巨大的作用。
主要特點:
1.采用高亮度和高穩定性的TFE電子槍
2.電子束偏轉控制技術 3.采用場尺寸調制技術,電子束定位分辨率(address size)可達
4.采用軸對稱圖形書寫技術,圖形偏角分辨率可達
5.應用領域,如微納器件加工,Si/GaAs兼容工藝,研究用掩膜制造,納米加工(例如單電子器件、器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),圖形線寬和圖形位移測量等。














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