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SL270-2磁控濺射設備

設備用途：
用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。配有陽極層離子源進行清洗和輔助沉積，同時設備具有反濺射清洗功能，以提高膜的質量和牢固度。
設備組成
系統主要由濺射真空室和傳遞室組成、永磁磁控濺射靶、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

采用單室立式上開蓋結構，換樣進樣操作方便，不銹鋼材料和真空材料。
技術指標：
1、溫度（根據要求選配）

2、極限真空度：濺射室極限真空度≤5×10-5Pa；

3、抽速：40min工作真空度可達到：5×10-4Pa

4、壓升率：停泵關機12小時后真空度≤10Pa；

5、系統漏率：5×10-10PaL/S；