這套離子銑削系統是為SEM和EBSD用戶的斜度切削制樣和無損表面拋光制樣而設計多功能離子束銑削系統,ion  milling system, 是SEM掃描電鏡位點特異性樣品制備的理想離子銑削儀器裝置和離子坡度切削儀器。
離子銑削系統特點
易于使用和自動化操作
市場上較為廣泛的能量范圍100eV-16keV
的預傾斜斜度切削樣品架（30°，45°，90°）
加載鎖定系統，用于快速交換樣品
液氮或Peltier制冷冷卻選項
 
使用方便
高級用戶界面提供從初學者到專家用戶的較佳操作模式。 全自動，基于配方的操作提供幾乎無干擾的樣品制備。 用戶可以無限制地創建，編輯，保存和加載多個配方。 自動化軟件可以根據客戶的應用和需求包括預先設定的方法。
 
“快速無損傷”
兩個獨立的離子源在市場上提供較廣泛的能量范圍。 在超高能量范圍（10keV以上）可以達到的濺射速率（530μm/ h）。 經過快速切削后，低能離子源的清洗能力提供了平滑無損的樣品表面。
 
樣品冷卻
為了滿足所有可能的需求，提供了兩種不同的冷卻方式：
建議使用液氮冷卻用于熱敏或冷凍標本。 使用此選項，樣品溫度可以顯著降低并控制在零度以下。
Peltier冷卻是一種舒適的防過熱保護，有助于將樣品保持在室溫附近。
 
快速和機動化的樣品交換
負載鎖定和電動樣品臺驅動系統提供了快速簡單的樣品交換，盡可能少的用戶交互。 負載鎖定可保護工作室中的真空水平，為重型用戶節省大量時間和精力。
 
的樣品臺范圍
為提供較佳配置提供了廣泛的樣品架種類。
對于傾斜切割，可提供30°，45°和90°預傾斜的樣品臺。
對于高級用戶和特殊應用，建議使用2μm精度的電動樣品架。
新一代的表面拋光樣品架（例如EBSD）提供了令人印象深刻的銑削面積，并且即使對于工業用戶也可以接受大樣品。
 
描述
用于SEM應用中高質量的位點特異性樣品制備
通過不同樣品架在90°，45°和30°的斜度切削進行橫截面樣品制備
終拋光和清潔傳統的SEM和EBSD樣品
加載鎖定系統，用于更快更容易地進行樣品交換
高能離子槍快速銑削
可選的超高能離子槍特別用于離子銑加工硬質材料或極速銑削
低能離子槍，用于溫和的表面拋光和清潔
自動參數設置和操作
樣品旋轉和振蕩
通過高分辨率CMOS相機和TFT顯示器實時監控銑削過程
 
描述
配備了高能量和低能量離子源。用高能離子槍進行快速斜度切削，然后用低能離子槍進行溫和的表面清潔，提供適用于半導體故障分析和其他分析目的的橫截面SEM樣品。該系統還提供了基于離子銑削的解決方案，用于改進和清潔機械拋光的SEM樣品，并為EBSD技術制備無損傷表面。新的16 keV超高能離子源比以前更*，具有更高的濺射速率。
 
產品規格
離子源
兩個離子槍：
集中的高能離子槍操作從10 keV或
可選的超高能離子槍，可操作高達16 keV
聚焦低能離子槍的范圍為100eV至2keV
光束電流密度：
較大。聚焦高能離子槍為100 mA /cm²
較大。 150 mA /cm²超高能離子槍
較大。用于聚焦低能量離子槍的10 mA /cm²
濺射速率：
聚焦高能離子槍30°C時Si為150μm/小時
超高能離子槍30度時Si為550微米/小時
聚焦低能離子槍30°C時Si為28μm/小時
樣品定位臺和樣品臺
樣品量：
斜度切削樣品臺（可提供30º，45º，90º傾斜平臺）
30º，45º持有人：較大大20 mm（l）x 16 mm（w）x 7 mm（th）
90º持有人：較大20 mm（l）x 16 mm（w）x 5.5 mm（th）
用于表面清潔的樣品架（EBSD）使用3種不同的頭型：
平頭型：較大Ø36mm x 0-5.5 mm
標準型：較大Ø26mm x 3-14 mm
中空型：較大Ø24mm x 13-19 mm
樣品傾斜：0º至30º，以0.1º為增量
樣品旋轉：平面內旋轉360º（僅適用于表面清潔樣品架）
樣品振蕩：10°步進的+10º至+40º的平面內振蕩
樣品冷卻
LN2冷卻用于制備熱敏樣品 - 可選
Peltier冷卻保護樣品免受熱量超限 - 可選
真空系統
無油隔膜和渦輪分子泵（Pirani / Penning）真空計
供氣系統
99.999％純度的氬氣
高精度工作氣體流量控制與電動針閥
成像系統
高分辨率CMOS相機，手動變焦視頻鏡頭為50-400x放大倍數
電腦控制
易于使用的圖形界面，自動離子源設置，銑削參數設置和操作控制