技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | 2SC5551AF-TD-E |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | NA |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | 射頻(RF)雙極晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 系列： | 2SC5551A |
| 晶體管類型： | Bipolar |
| 技術： | Si |
| 晶體管極性： | NPN |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min： | 90 |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 30 V |
| 發射極 - 基極電壓 VEBO： | 2 V |
| 集電極連續電流： | 300 mA |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 配置： | Single |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PCP-3 |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 商標： | ON Semiconductor |
| Pd-功率耗散： | 1.3 W |
| 產品類型： | RF Bipolar Transistors |
| 工廠包裝數量： | 1000 |
| 子類別： | Transistors |
| 單位重量： | 51.150 mg |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。