電子束光刻系統(tǒng)

產(chǎn)品特點(diǎn)
1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的TFE電子槍
2.電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)
3.采用場(chǎng)尺寸調(diào)制技術(shù)，電子束定位分辨率（address size)可達(dá)
4.采用軸對(duì)稱(chēng)圖形書(shū)寫(xiě)技術(shù)，圖形偏角分辨率可達(dá)
5.應(yīng)用領(lǐng)域，如微納器件加工，Si/GaAs

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品參數(shù)
1.小線寬：小于10nm（8nm available)
2.加速電壓：1-50kV
3.電子束直徑：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圓尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描電鏡分辨率：小于2nm

產(chǎn)品介紹

產(chǎn)品介紹
納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技
術(shù)制作中是的之一。日本CRESTEC公司為21世紀(jì)納米科技提供
的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，或稱(chēng)電子束直寫(xiě)（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。
zui小線寬可達(dá)8nm，zui小束斑直徑2nm，套刻
精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。