Centrotherm 高溫退火/氧化系統(tǒng)-Activator/Oxidator 150

Centrotherm 高溫退火爐系統(tǒng)-Activator 150

一、產(chǎn)品簡介

Centrotherm Activator 150高溫爐設(shè)計(jì)用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm工藝爐管和加熱系統(tǒng)設(shè)，允許工藝溫度達(dá)到 1850 ℃。

此外，Activator 150系列的產(chǎn)品可以實(shí)現(xiàn)生長石墨烯生長。通過碳化硅升華生長石墨層可以獲得器件。

Centrotherm新一代SiC工藝爐管的研發(fā)用以滿足新興的150毫米 SiC工藝。

Centrotherm Activator 150-5是為研發(fā)工作而特制的，而Centrotherm Activator 150-50專為大批量生產(chǎn)設(shè)計(jì)。

的工藝范圍實(shí)現(xiàn)了對自定義化程序的優(yōu)化,例如溫度,氣路系統(tǒng)和壓力。

二、典型應(yīng)用

SiC器件高溫退火 （注入后）

GaN器件退火

大面積石墨烯生長

SiC表面制備

三、產(chǎn)品特性

性能和優(yōu)勢

高活化效率

小表面粗糙度

溫度可達(dá) 1850 ℃

占地面積小 [2]

升溫速率可達(dá) 100 K/min

批處理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″

批處理數(shù)量達(dá)到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片

真空度小于10-3 mbar （可選）

可并排安裝

選項(xiàng)

上下料腔室微環(huán)境控制

自動(dòng)機(jī)械手裝片

測溫?zé)崤?/span>

尺寸

Centrotherm 高溫氧化系統(tǒng)-Oxidator 150

一、產(chǎn)品簡介

德國Centrotherm公司是國際主流的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，尤其在高溫設(shè)備領(lǐng)域。CentrothermOxidator 150 經(jīng)過的研發(fā),能夠滿足 SiC圓片的高溫氧化工藝;同時(shí)亦可用于常規(guī)的硅圓片的氧化。CentrothermOxidator 150 的反應(yīng)腔具有性能高、占地小和生產(chǎn)成本低等特點(diǎn)，為客戶提供的工藝靈活度,同時(shí)能夠保證有毒氣體的安全使用。

設(shè)備特點(diǎn)：

爐管和加熱器均處于真空密閉反應(yīng)腔內(nèi)，上下料腔室可用Ar或 N2進(jìn)行吹掃，可以保證有毒氣體（如 NO、N2O、H2、NO2等） 的安全使用。

氧化工藝使用 N2O氣氛，可以改善 SiO2/SiC接觸表面以獲得更高的通道遷移率，同時(shí)可提高SiC表面氧化物的穩(wěn)定性和壽命。

提供帶有氫氧合成系統(tǒng)的濕氧工藝。

高達(dá) 1350 ℃的溫度和其他支持功能為 SiC氧化工藝和低界面陷阱密度,高通道移動(dòng)率的氧化層研制提供可能。

二、適用工藝

高溫SiC或Si氧化

氧化后退火（氫氣環(huán)境）

三、產(chǎn)品特性

性能

圓片尺寸：2″、3″、4″、6″

工藝溫度：900 ℃ ~ 1350 ℃

真空度： 小于10-3 mbar

占地面積小：2

真空密封反應(yīng)腔

可以并排安裝

選項(xiàng)

氫氧合成用于濕氧

機(jī)械手裝片

測溫?zé)崤?/span>

尺寸

四、設(shè)備參數(shù)