-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 FGA40N65SMD IGBT 晶體管 650V, 40A Field Stop IGBT 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) FGA40N65SMD 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):FGA40N65SMD批號(hào):19+封裝:TO-3P數(shù)量:60QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):IGBT晶體管RoHS:是技術(shù):Si封裝/箱體:TO-3PN安裝風(fēng)格:ThroughHole集電極—發(fā)射極電壓VCEO:650V集電極—射極飽和電壓:2對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 FDMC86139P 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) FDMC86139P 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTGD4161PT1G SOT23-6 10+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTGD4161PT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTMFS4925NT1G MOSFET TRENCH 3.1 30V 6 M Ohm NCH 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTMFS4925NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTMFS4925NT1G批號(hào):13+封裝:DFN8數(shù)量:150QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SO-FL-8通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:16對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTJS4151PT1G MOSFET -20V -4.2A P-Channel 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTJS4151PT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTJS4151PT1G批號(hào):10+封裝:SOT363數(shù)量:700QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SC-88-6通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20VId-連續(xù)漏極電流:3對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTR4003NT1G MOSFET NFET 30V .56A 1500M 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTR4003NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTR4003NT1G批號(hào):17+封裝:SOT23數(shù)量:100QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SOT-23-3通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:560mARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻:1對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTLJF4156NT1G MOSFET NFET 2X2 30V 4A 70MOHM 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTLJF4156NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTLJF4156NT1G批號(hào):10+封裝:WDFN-6數(shù)量:100QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:WDFN-6通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:3對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTD5865NLT4G MOSFET N-CH 60V 46A DPAK 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTD5865NLT4G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTD5865NLT4G批號(hào):16+封裝:TO-252數(shù)量:60QQ:對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)(MSL):1(無(wú)限)類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)品族:晶體管-FET對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 FDD86110 MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) FDD86110 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):FDD86110批號(hào):10+封裝:TO-252數(shù)量:20QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:TO-252-3通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:100VId-連續(xù)漏極電流:12對(duì)比
-
ON TVS二極管 ESD7481MUT5G TVS Diodes / ESD Suppressors LOW CAP BI-DIRECTIONAL ES 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) ESD7481MUT5G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):ESD7481MUT5G批號(hào):#N/A封裝:X3DFN2數(shù)量:500QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):TVS二極管/ESD抑制器RoHS:是產(chǎn)品類(lèi)型:ESDSuppressors極性:Bidirectional工作電壓:3對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTGD4167CT1G MOSFET COMP 30V 2.9A 0.090 TSOP6 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTGD4167CT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTGD4167CT1G批號(hào):10+封裝:SOT23-6數(shù)量:200QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:TSOP-6通道數(shù)量:2Channel晶體管極性:N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:2對(duì)比
-
場(chǎng)效應(yīng)管 NDUL03N150CG 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NDUL03N150CG 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NDUL03N150CG批號(hào):20+封裝:TO-3PF數(shù)量:20000QQ:制造商:ONSemiconductorFET類(lèi)型:N通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):2.5A(Ta)驅(qū)動(dòng)電壓(RdsOn對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 FDMA507PZ MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) FDMA507PZ 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):FDMA507PZ批號(hào):17+封裝:QFN6數(shù)量:100QQ:描述:MOSFETP-CH20V6-MICROFET對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)(MSL):1(無(wú)限)原廠標(biāo)準(zhǔn)交貨期:16周詳細(xì)描述:表面貼裝型-P-通道-20V-7對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTMFS4C03NT1G MOSFET N-CH 30V 30A SO8FL 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTMFS4C03NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTHD3100CT1G MOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTHD3100CT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTHD3100CT1G批號(hào):10+封裝:SOT23-8數(shù)量:200QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:ChipFET-8通道數(shù)量:2Channel晶體管極性:N-Channel對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTLJD3119CTBG MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTLJD3119CTBG 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 8 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTLJD3119CTBG批號(hào):14+封裝:QFN6數(shù)量:100QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:WDFN-6通道數(shù)量:2Channel晶體管極性:N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:21V,20VId-連續(xù)漏極電流:3對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTTFS4C08NTAG MOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTTFS4C08NTAG 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 4 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTTFS4C08NTAG批號(hào):10+封裝:WDFN8數(shù)量:600QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:WDFN-8通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:52ARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻:5對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTLJD4116NT1G MOSFET NFET 2X2 30V 4.6A 70MOHM 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTLJD4116NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTLJD4116NT1G批號(hào):10+封裝:WDFN6數(shù)量:200QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:WDFN-6晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:2ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:3對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTGS4141NT1G MOSFET 30V 7A N-Channel 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTGS4141NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5
-
ON TVS二極管 NUP4304MR6T1G 整流器 Low Cap. for ESD Protection in 4 Line 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NUP4304MR6T1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NUP4304MR6T1G批號(hào):14+封裝:SOT-163數(shù)量:300QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):整流器RoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SC-74-6Vr-反向電壓:70VIf-正向電流:200mA類(lèi)型:StandardRecoveryRectifiers配置:OctalVf-正向電壓:1對(duì)比
-
場(chǎng)效應(yīng)管 NDC7002N 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NDC7002N 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTMFS4927NT1G MOSFET TRENCH 3.1 30V 9 Ohm NCH 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTMFS4927NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NVTFS5116PLTAG MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NVTFS5116PLTAG 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5
-
VISHAY 場(chǎng)效應(yīng)管 SIHG20N50C-E3 TO-247 20+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) SIHG20N50C-E3 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 9
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTTFS4823NTAG 表面貼裝型 N 通道 30V 7.1A(Ta),50A(Tc) 660mW(Ta),32.9W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3) 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTTFS4823NTAG 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTTFS4823NTAG批號(hào):10+封裝:WDFN8數(shù)量:200QQ:制造商:ONSemiconductorFET類(lèi)型:N通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):7.1A(Ta)對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTGD3148NT1G MOSFET NFET 20V 3A 70MOHM TSOP6 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTGD3148NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTGD3148NT1G批號(hào):10+封裝:SOP8數(shù)量:200QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:TSOP-6晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:2ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20VId-連續(xù)漏極電流:3對(duì)比
-
AOS/萬(wàn)代 場(chǎng)效應(yīng)管 AOTF454L MOSFET N-CH 150V 3A TO220F 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) AOTF454L 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌:AOS/萬(wàn)代型號(hào):AOTF454L批號(hào):20+封裝:TO-220F數(shù)量:50000QQ:對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況:無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求濕氣敏感性等級(jí)(MSL):1(無(wú)限)類(lèi)別:有源產(chǎn)品族:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品系列:晶體管-FET對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTMD4820NR2G MOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTMD4820NR2G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 4 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTMD4820NR2G批號(hào):10+封裝:SOP-8數(shù)量:200QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SOIC-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:30VId-連續(xù)漏極電流:6對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTJD1155LT1G MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTJD1155LT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTJD1155LT1G批號(hào):10+封裝:SOT-363數(shù)量:200QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SC-88-6通道數(shù)量:2Channel晶體管極性:P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:8VId-連續(xù)漏極電流:1對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTK3043NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 4
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTJS3151PT1G MOSFET 12V 3.3A P-Channel 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTJS3151PT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTJS3151PT1G批號(hào):10+封裝:SOT-363數(shù)量:500QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):MOSFETRoHS:是技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SC-88-6通道數(shù)量:1Channel晶體管極性:P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:12VId-連續(xù)漏極電流:3對(duì)比
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTD25P03LT4G MOSFET -30V -25A P-Channel 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTD25P03LT4G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTK3134NT1G 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTK3134NT1G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 7
-
ON 場(chǎng)效應(yīng)管 NTD6415ANT4G 表面貼裝型 N 通道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) NTD6415ANT4G 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 8 技術(shù)參數(shù)品牌:ON型號(hào):NTD6415ANT4G批號(hào):10+封裝:SOT252數(shù)量:100QQ:制造商:ONSemiconductorFET類(lèi)型:N通道25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):23A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(RdsOn對(duì)比
-
VISHAY 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFP460APBF TO-247 20+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRFP460APBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 9
-
LITTELFUSE/力特 TVS二極管 SMBJ10CA ESD 抑制器/TVS 二極管 600W 10V 5% Bi-Directional 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) SMBJ10CA 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 9 技術(shù)參數(shù)品牌:LITTELFUSE/力特型號(hào):SMBJ10CA批號(hào):20+封裝:SMB數(shù)量:2000QQ:制造商:Littelfuse產(chǎn)品種類(lèi):ESD抑制器/TVS二極管發(fā)貨限制:Mouser目前不銷(xiāo)售該產(chǎn)品對(duì)比
-
VISHAY 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF740PBF TO-220 20+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRF740PBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 8
-
VISHAY 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF610PBF TO-220 20+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRF610PBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 9
-
DIODES/美臺(tái) 場(chǎng)效應(yīng)管 BSS123-7-F MOSFET 100V 360mW 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) BSS123-7-F 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 7
-
INFINEON/英飛凌 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFB3206PBF MOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRFB3206PBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 7
-
VISHAY 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF730PBF TO-220 20+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRF730PBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 9
-
INFINEON 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFB4321PBF MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRFB4321PBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 7
-
ON/安森美 場(chǎng)效應(yīng)管 HGTG30N60A4D IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) HGTG30N60A4D 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 13 技術(shù)參數(shù)品牌:ON/安森美型號(hào):HGTG30N60A4D批號(hào):20+封裝:TO-247數(shù)量:50000QQ:制造商:ONSemiconductor產(chǎn)品種類(lèi):IGBT晶體管RoHS:是技術(shù):Si封裝/箱體:TO-247-3安裝風(fēng)格:ThroughHole配置:Single集電極—發(fā)射極電壓VCEO:600V集電極—射極飽和電壓:1對(duì)比
-
AOS/萬(wàn)代 TVS二極管 AOZ8905CI TVS DIODE 5V 15.5V SOT23-6 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) AOZ8905CI 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 8 技術(shù)參數(shù)品牌:AOS/萬(wàn)代型號(hào):AOZ8905CI批號(hào):20+封裝:SOT-23-6數(shù)量:2000QQ:描述:TVSDIODE5V15對(duì)比
-
Infineon/英飛凌 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFP260MPBF TO-247 20+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRFP260MPBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 5
-
Infineon/英飛凌 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFP250NPBF MOSFET MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRFP250NPBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 7
-
NXP/恩智浦 場(chǎng)效應(yīng)管 BSH111BKR TO-236AB 20+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) BSH111BKR 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6
-
Infineon(英飛凌) 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFR024NTRPBF 20+ TO-252-2(DPAK) 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRFR024NTRPBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 6
-
Infineon(英飛凌) 場(chǎng)效應(yīng)管 IRF640NPBF 20+ TO-220-3 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRF640NPBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 7
-
VISHAY 場(chǎng)效應(yīng)管 IRFP240PBF TO-247 20+ 參考價(jià) ¥面議
標(biāo)簽:
品牌 型號(hào) IRFP240PBF 類(lèi)型 溫室/大棚 廠商性質(zhì) 其他 更新時(shí)間 2023-08-05 瀏覽次數(shù) 7




















































