-
STD10NF10T4 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次NA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD10NF10T4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 12
-
SIS406DN-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次POWERPA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SIS406DN-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 11 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SIS406DN-T1-GE3封裝：21+批次：POWERPA數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-1212-8高度：1對比
-
IRF9321TRPBF 場效應管 IR 封裝21+ 批次DFN-8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 IRF9321TRPBF 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 21 技術參數品牌：IR型號：IRF9321TRPBF封裝：21+批次：DFN-8數量：5000制造商：Infineon產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：15ARdsOn-漏源導通電阻：11對比
-
DMP3160L-7 場效應管 DIODES/美臺 封裝21+ 批次POWERDI50 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 DMP3160L-7 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7 技術參數品牌：DIODES/美臺型號：DMP3160L-7封裝：21+批次：POWERDI50數量：5000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3晶體管極性：P-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：2對比
-
SI4426DY-T1-E3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次SOIC-8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI4426DY-T1-E3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI4426DY-T1-E3封裝：21+批次：SOIC-8數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8商標名：TrenchFET高度：1對比
-
DMP2035U-7 場效應管 DIODES/美臺 封裝21+ 批次POWERDI50 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 DMP2035U-7 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 11 技術參數品牌：DIODES/美臺型號：DMP2035U-7封裝：21+批次：POWERDI50數量：5000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：4對比
-
STD8NM60N 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次DPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD8NM60N 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6
-
SI7846DP-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次NA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI7846DP-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI7846DP-T1-GE3封裝：21+批次：NA數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-SO-8商標名：TrenchFET高度：1對比
-
AO3401A 場效應管 AOS/萬代 封裝21+ 批次BGA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 AO3401A 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8 技術參數品牌：AOS/萬代型號：AO3401A封裝：21+批次：BGA數量：5000對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：不適用於新設計產品族：分立半導體產品系列：晶體管-FET對比
-
SIR168DP-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次QFN-8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SIR168DP-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SIR168DP-T1-GE3封裝：21+批次：QFN-8數量：5000對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET對比
-
SI7172DP-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次POWERPA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI7172DP-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI7172DP-T1-GE3封裝：21+批次：POWERPA數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-SO-8高度：1對比
-
DMP2160U-7 場效應管 DIODE 封裝21+ 批次POWERDI50 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 DMP2160U-7 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 5 技術參數品牌：DIODE型號：DMP2160U-7封裝：21+批次：POWERDI50數量：5000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-40C工作溫度：90C最小電源電壓：4V電源電壓：9V長度：5mm寬度：5對比
-
SI7892BDP-T1-E3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次QFN8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI7892BDP-T1-E3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 5 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI7892BDP-T1-E3封裝：21+批次：QFN8數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是系列：SI7零件號別名：SI7892BDP-E3單位重量：506對比
-
STD7NK40ZT4 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次DPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD7NK40ZT4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 11 技術參數品牌：ST/意法型號：STD7NK40ZT4封裝：21+批次：DPAK數量：5000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：400VId-連續漏極電流：5對比
-
DMP2004K-7 場效應管 DIODE 封裝21+ 批次POWERDI50 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 DMP2004K-7 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8 技術參數品牌：DIODE型號：DMP2004K-7封裝：21+批次：POWERDI50數量：5000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-30C工作溫度：125C最小電源電壓：2V電源電壓：7V長度：7對比
-
SI7326DN-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次POWERPA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI7326DN-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI7326DN-T1-GE3封裝：21+批次：POWERPA數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-1212-8高度：1對比
-
SI4156DY-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次NA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI4156DY-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 9 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI4156DY-T1-GE3封裝：21+批次：NA數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SO-8高度：1對比
-
SI1905BDH-T1-E3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次SC70-6 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI1905BDH-T1-E3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI1905BDH-T1-E3封裝：21+批次：SC70-6數量：5000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-50C工作溫度：100C最小電源電壓：3V電源電壓：9對比
-
ECH8654-TL-H 場效應管 ON/安森美 封裝21+ 批次ECH-8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 ECH8654-TL-H 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6
-
STD5NM60T4 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次DPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD5NM60T4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7
-
SIR462DP-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次QFN8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SIR462DP-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 5 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SIR462DP-T1-GE3封裝：21+批次：QFN8數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：PowerPAK-SO-8通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：30VId-連續漏極電流：30ARdsOn-漏源導通電阻：7對比
-
TS420-600B-TR 可控硅/晶閘管 ST/意法 封裝21+ 批次DPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 TS420-600B-TR 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 9 技術參數品牌：ST/意法型號：TS420-600B-TR封裝：21+批次：DPAK數量：5000制造商：STMicroelectronics產品種類：SCRRoHS：是系列：TS420額定重復關閉狀態電壓VDRM：100mV關閉狀態漏泄電流（在VDRMIDRM下）：5uAVf-正向電壓：1對比
-
STP6NK60ZFP 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次NA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STP6NK60ZFP 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 9 技術參數品牌：ST/意法型號：STP6NK60ZFP封裝：21+批次：NA數量：5000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220FP-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：6ARdsOn-漏源導通電阻：1對比
-
DMN2016LHAB-7 場效應管 DIODES/美臺 封裝21+ 批次DFN2030 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 DMN2016LHAB-7 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8 技術參數品牌：DIODES/美臺型號：DMN2016LHAB-7封裝：21+批次：DFN2030數量：5000制造商：DiodesIncorporated產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：U-DFN2030-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：7對比
-
CSD87350Q5D 場效應管 TI/德州儀器 封裝21+ 批次LSON-CLIP-8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 CSD87350Q5D 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 14
-
AON7934 場效應管 AOS/萬代 封裝21+ 批次DFN 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 AON7934 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 11 技術參數品牌：AOS/萬代型號：AON7934封裝：21+批次：DFN數量：5000對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET對比
-
STU4N62K3 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次IPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STU4N62K3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7 技術參數品牌：ST/意法型號：STU4N62K3封裝：21+批次：IPAK數量：5000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-251-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：620VId-連續漏極電流：3對比
-
STD5NM60-1 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次IPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD5NM60-1 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7
-
SI4914BDY-T1-E3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次SOIC-8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI4914BDY-T1-E3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI4914BDY-T1-E3封裝：21+批次：SOIC-8數量：5000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-40C工作溫度：90C最小電源電壓：1V電源電壓：9V長度：8對比
-
STD10NM60N 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次DPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD10NM60N 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8
-
STD35NF06T4 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次DPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD35NF06T4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8
-
SI7469DP-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次PowerPA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI7469DP-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6
-
2N7002E-T1-E3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次NA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 2N7002E-T1-E3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 9
-
SIR468DP-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次POWERPA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SIR468DP-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SIR468DP-T1-GE3封裝：21+批次：POWERPA數量：5000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-20C工作溫度：125C最小電源電壓：2V電源電壓：7對比
-
STB6NK60ZT4 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次D2PAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STB6NK60ZT4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6 技術參數品牌：ST/意法型號：STB6NK60ZT4封裝：21+批次：D2PAK數量：5000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-263-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：6ARdsOn-漏源導通電阻：1對比
-
STD2NK90ZT4 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次DPAK 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD2NK90ZT4 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7 技術參數品牌：ST/意法型號：STD2NK90ZT4封裝：21+批次：DPAK數量：5000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：900VId-連續漏極電流：2對比
-
DMG4413LSS-13 場效應管 DIODES/美臺 封裝21+ 批次SOP-8L 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 DMG4413LSS-13 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6 技術參數品牌：DIODES/美臺型號：DMG4413LSS-13封裝：21+批次：SOP-8L數量：5000類別：分立半導體產品晶體管-FET對比
-
CSD25213W10 場效應管 TI/德州儀器 封裝21+ 批次DSBGA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 CSD25213W10 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8 技術參數品牌：TI/德州儀器型號：CSD25213W10封裝：21+批次：DSBGA數量：5000制造商：TexasInstruments產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：DSBGA-4通道數量：1Channel晶體管極性：P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：1對比
-
AON6411 場效應管 AOS/萬代 封裝21+ 批次SOIC20 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 AON6411 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 9 技術參數品牌：AOS/萬代型號：AON6411封裝：21+批次：SOIC20數量：5000對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：分立半導體產品產品族：晶體管-FET對比
-
SI1902CDL-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次SC-70 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI1902CDL-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 3 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI1902CDL-T1-GE3封裝：21+批次：SC-70數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SC-70通道數量：2Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：1對比
-
STD2HNK60Z 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次NA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STD2HNK60Z 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 13 技術參數品牌：ST/意法型號：STD2HNK60Z封裝：21+批次：NA數量：5000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：2ARdsOn-漏源導通電阻：4對比
-
DMP4015SPS-13 場效應管 DIODE 封裝21+ 批次POWERDI50 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 DMP4015SPS-13 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 10 技術參數品牌：DIODE型號：DMP4015SPS-13封裝：21+批次：POWERDI50數量：5000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-20C工作溫度：130C最小電源電壓：2V電源電壓：8V長度：8對比
-
SI4684DY-T1-E3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次SOIC-8 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI4684DY-T1-E3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 9 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI4684DY-T1-E3封裝：21+批次：SOIC-8數量：5000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-30C工作溫度：125C最小電源電壓：1V電源電壓：6V長度：1對比
-
SIR472DP-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次PowerPA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SIR472DP-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 9 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SIR472DP-T1-GE3封裝：21+批次：PowerPA數量：5000制造商：VishaySiliconix系列：TrenchFET®FET類型：N通道25°C時電流-連續漏極(Id)：20A（Tc）驅動電壓（RdsOn對比
-
DMP2004VK-7 場效應管 DIODE 封裝21+ 批次POWERDI50 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 DMP2004VK-7 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 9 技術參數品牌：DIODE型號：DMP2004VK-7封裝：21+批次：POWERDI50數量：5000RoHS：是產品種類：電子元器件最小工作溫度：-30C工作溫度：90C最小電源電壓：2V電源電壓：9V長度：3對比
-
AO3415 場效應管 AOS/萬代 封裝21+ 批次SOT-23 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 AO3415 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 10 技術參數品牌：AOS/萬代型號：AO3415封裝：21+批次：SOT-23數量：5000對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：不適用於新設計產品族：分立半導體產品系列：晶體管-FET對比
-
AOD4286 場效應管 AOS/萬代 封裝21+ 批次SO-16 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 AOD4286 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 8 技術參數品牌：AOS/萬代型號：AOD4286封裝：21+批次：SO-16數量：5000對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況：無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS3)規范要求濕氣敏感性等級（MSL）：1（無限）類別：有源產品族：分立半導體產品系列：晶體管-FET對比
-
SI2328DS-T1-GE3 場效應管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次NA 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 SI2328DS-T1-GE3 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7 技術參數品牌：VISHAY/威世型號：SI2328DS-T1-GE3封裝：21+批次：NA數量：5000制造商：Vishay產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：SOT-23-3晶體管極性：N-Channel通道數量：1ChannelVds-漏源極擊穿電壓：100VId-連續漏極電流：1對比
-
STS6NF20V 場效應管 ST/意法 封裝21+ 批次SO08. 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 STS6NF20V 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 6 技術參數品牌：ST/意法型號：STS6NF20V封裝：21+批次：SO08對比
-
AO4294 場效應管 AOS/萬代 封裝21+ 批次QFN48 參考價 ￥面議
標簽：
品牌 型號 AO4294 類型 沖壓加工 廠商性質 其他 更新時間 2023-10-27 瀏覽次數 7 技術參數品牌：AOS/萬代型號：AO4294封裝：21+批次：QFN48數量：5000制造商：Alpha&OmegaSemiconductorInc.FET類型：N通道25°C時電流-連續漏極(Id)：11.5A（Ta）驅動電壓（RdsOn對比
